東芝奈米壓印技術
現有的3D NAND快閃記憶體技術,源自東芝(Toshiba)在2007年公布的BiCS,但東芝認為將線路製程技術提高到15奈米(nm)水準以前,採用3D構造的好處不明顯,優先發展更精密製程技術,三星電子(Samsung Electronics)對3D電路技術發展較積極,在2013年量產該廠稱為V-NAND的3D NAND產品。
東芝欲以奈米壓印技術翻轉3D NAND競爭
范仁志綜合報導 NAND Flash在SSD市場興起,並成為手機內不可或缺的記憶裝置後,市場需求快速增大,廠商競相發展高容量產品,但要提高容量,就必須設法提高單位面積的線路密度,而線路寬度已逼近現有技術極限,在更高精度的新技術大量應用前改採3D線路配置,成為唯一可行的設計。而現有的3D NAND快閃記憶體技術,源自... ASML與佳能、尼康的曝光裝置競爭
范仁志綜合報導 佳能(Canon)決定採用奈米壓印(NIL)技術,背景源自全球半導體曝光(Photolithography)裝置廠商競爭,以及佳能在ArF浸潤裝置的落後。自尼康(Nikon)在1980年推出曝光裝置後,以尼康及佳能為首的日本曝光裝置業者,全球市佔率總和均在80%水準,直到艾斯摩爾(ASML)在2001年率先推出1... 東芝奈米壓印生產線2017年啟用
范仁志綜合報導 東芝(Toshiba)、佳能(Canon)與大日本印刷(DNP)等三廠,從2009年起合作研發奈米壓印技術(Nanoimprint Litjography;NIL),現在決定應用在3D NAND的生產,2017年起於日本三重縣四日市工廠以奈米壓印技術進行生產,2018年完工的新廠房則正式將奈米壓印技術進行量產。這...