可變電阻式隨機存取記憶體(ReRAM)技術近來不斷出現進展，4DS Memory日前表示，其專利開發的Interface Switching ReRAM經更動結構後，讀取速度已可媲美DRAM。
俄國研究新型態記憶體 欲結合RAM高速和Flash非揮發性
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