三菱化學推GaN功率半導體新製程 MOSFET缺陷減到1%以下
- 范仁志
日刊工業新聞報導，日本以三菱化學(Mitsubishi Chemical)為首的合作研發團隊，目前正在開發新的GaN材料金氧半場效電晶體(MOSFET)，晶圓上每平方公分的缺陷數，減低到1萬個以內，是現有技術的0.1~1%水準，預計2018年可以再減到現有技術的...
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