科學家合成GaTe材料 具成為光電材料潛力
- 莊瑞萌
美國亞利桑那州立大學(Arizona State University)科學家日前合成pseudo-1D半導體材料碲化鎵(GaTe)。研究人員認為，由於該材料本身擁有非等向性特質，不只可作為研究二維材料參考，也具備成為光電科技材料的潛力。據Phys.org報導，亞利...
會員登入
會員服務申請/試用
申請專線：
+886-02-87125398。
(週一至週五工作日9:00~18:00)
+886-02-87125398。
(週一至週五工作日9:00~18:00)
關鍵字
