宜普公司推出30V增強型單片式半橋氮化鎵電晶體

宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出30V的增強型單片式半橋氮化鎵電晶體(EPC2111)。透過整合兩個eGaN功率場效應電晶體形成單個元件，可以去除互連電感及節省印刷電路板上元件之間的空隙。這樣可以提高效率(尤其是在更高頻率時)及提高功率密度，而且同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。

在EPC2111半橋電晶體內的每一個元件的額定電壓是30V。上面的場效應電晶體的導通電阻(RDS(on))典型值是14mΩ，下面的場效應電晶體的導通電阻典型值是6mΩ。EPC2111使用晶片級封裝，可以改善開關速度及散熱性能。其尺寸只是3.5毫米(mm)x1.5毫米，功率密度更高。

EPC2111的其中一個主要應用是筆記型電腦及平板電腦運算。在這些系統內，功率轉換電路的佔板面積差不多是50%，而且決定主機板的厚度。氮化鎵電晶體的高頻性能縮小功率轉換所需的佔板面積，大幅縮小下一代行動電話運算系統的尺寸。