EPC推出全新電晶體 技術性能大幅提升

EPC推出EPC2045及EPC2047氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)，尺寸減半，而且性能顯著提升。

宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出全新的EPC2045(7mΩ、100V)及EPC2047(10mΩ、200 V)電晶體，在提升產品性能的同時也可以降低成本。100V的EPC2045應用於開放式服務器架構以實現48V至負載的單級電源轉換、負載點(POL)轉換器、USB-C及雷射雷達(LiDAR)等應用。200V的EPC2047的應用例子包括無線充電、多級AC/DC電源供電、機械人應用及太陽能微型逆變器。

100V、7mΩ的EPC2045在性能？成本上繼續擴大與等效矽基功率MOSFET的績效差距。與前一代EPC2001C eGaN FET相比，EPC2045的晶片尺寸減半。而200V、10mΩ的EPC2047 eGaN FET的尺寸也是減半，如果與等效矽基MOSFET相比，它的尺寸減小達15倍。

現在可以同時實現更小型化和性能更高的元件，eGaN產品採用晶片級封裝，比MOSFET使用塑膠封裝可以更有效散熱，使用晶片級封裝的元件可以直接把熱量傳遞至環境，而MOSFET晶片的熱量則聚集在塑膠封裝內。

EPC公司執行長兼共同創辦人Alex Lidow表示，目前採用MOSFET技術的各種應用，這些全新eGaN產品展示出EPC及其氮化鎵電晶體技術如何提升產品的性能之同時能夠降價。此外，將繼續發展氮化鎵技術以推動全新矽基元件所不能夠支援的終端用戶應用出現。這些全新電晶體也印證了氮化鎵與MOSFET技術在性能及成本方面的績效差距正在逐漸擴大。

也為工程師提供3塊開發板以幫助工程師容易對EPC2045及EPC2047的性能進行評估，包括內含100V的EPC2045電晶體的開發板和內含200V的EPC2047的開發板。

氮化鎵製程的優勢是氮化鎵元件比等效矽基元件具備低很多的電容，因此可以在更高頻、相同的阻抗及額定電壓下，實現更低的閘極驅動損耗及更低的開關損耗。與最好的等效MOSFET相比，EPC2045工作在48V–5V電源轉換、500 kHz開關頻率時，功耗降低30%及效率提升2.5%。

與矽基MOSFET相反的是，eGaN FET雖然小型很多，但它的開關性能更高，代表eGaN產品的前景是該技術進入良性循環的軌度，預期氮化鎵元件將會繼續小型化而其性能可以更高。

全新產品在性能、尺寸及成本上的改進是由於利用了創新的方法，當擊穿時在汲極區域減弱電場，並且同時大幅減少陷阱，使之所俘獲的電子減少。