創飛芯通過Silterra高壓製程驗證 發布反熔絲OTP方案

世界知名的半導體晶圓代工廠Silterra和儲存器IP設計公司CFX創飛芯於7月聯合發布了一款可量產，並基於Silterra 160nm和110nm高壓製程反熔絲製程的一次性可編程IP。

創飛芯的反熔絲OTP存儲內核在世界先進的160nm和110nm高壓製程上，通過了1,000小時的老化可靠性測試，數據可保持長達10年的時間，完全滿足Silterra矽驗證指標的要求。

創飛芯世界領先的反熔絲IP技術同時可按照客戶需求，基於最小成本實現最優的面積和密度，並且無需額外的光罩和製程。其IP已經被客戶廣泛應用於低功耗、高性能和廣色域的顯示驅動IC領域的產品中。

Silterra全球銷售和市場執行副總裁賴一龍表示「我們非常高興創飛芯在高壓製程工藝上成為我們新的合作夥伴，其提供的高可靠性IP將會在客戶關心的成本和可靠性，特別是在電源管理和顯示驅動IC市場方面的特殊需求提供更廣泛的技術支持。」

創飛芯董事長和CEO王志剛認為「創飛芯正致力將已經通過Silterra驗證的反熔絲IP，推廣到國內外任何有需要使用反熔絲OTP解決方案的設計廠商。其技術優勢主要呈現在超高可靠性和安全性、寬工作溫度範圍(負45度到125度)、高速、超低功耗、高密度、低編程電壓和低編程後電阻。」

Silterra賴副總裁同時表示「下一步，我們雙方將有更緊密的合作，基於我們的110nm CMOS邏輯製程平台上拓展創飛芯的反熔絲OTP解決方案驗證。」(DIGITIMES周岳霖整理報導)