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 Industry Review: 3Q'16南韓記憶體產業觀察:產值季增13.9% 4Q'16再戰雙位數季增率

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2016年第3季南韓記憶體產值已接近14兆韓元(約123億美元),較前季成長13.9%,DIGITIMES Research預測,在終端需求持續增加及單機搭載容量提升帶動下,2016年第4季有望突破15兆韓元(約132億美元)大關。

觀察2016年第3季南韓記憶體產業發展,因全球PC與智慧型手機等終端裝置出貨增加,以及廠商因應旺季來臨回補庫存,DRAM與NAND Flash需求增加,價格出現翻揚,南韓記憶體產值達13.95兆韓元,較前季成長13.9%,也較2015年同期微增0.6%。

三星(Samsung Electronics) 2016年第3季DRAM營收季增18.0%,優於SK海力士(SK Hynix)的4.3%及全球的15.8%。三星先於2016年第1季量產18奈米製程DRAM,2016年第3季伺服器用DRAM(Server DRAM)及行動DRAM(Mobile DRAM)也導入18奈米製程技術生產,亦使其DRAM成本競爭力持續提升。

NAND Flash方面,2016年第3季三星與SK海力士營收合計達5.13兆韓元,季增15.3%,兩公司NAND Flash營收季增率表現皆亮眼,雙雙突破15%。

展望2016年第4季,DIGITIMES Research預測,因韓元兌美元走貶壓力大增,隨著全球PC及智慧型手機等終端裝置出貨續增、智慧型手機用行動DRAM及NAND Flash單機搭載容量提升、3D NAND Flash SSD滲透率提高,加上DRAM合約價飆升等因素,南韓記憶體產值將持續上揚,有望突破15兆韓元。

2Q’15~3Q’16南韓記憶體產值變化
註:為三星與SK海力士記憶體營收合計值。
資料來源:三星電子、SK海力士、DIGITIMES,2016/11

內文目錄

  • 3Q’16旺季開跑 南韓記憶體產值季增13.9%
  • DRAM產值季增13.1% 三星季增率優於SK海力士
  • NAND Flash產值季增率雙破15% SK海力士轉虧為盈
  • 4Q’16南韓記憶體產值有望上攻15兆韓元
  • 記憶體市場逐漸回穩 韓廠加速轉進先進製程

圖表目錄

  • 2Q’15~3Q’16南韓記憶體產值變化
  • 2Q’15~3Q’16三星與SK海力士DRAM營收變化
  • 3Q’15~3Q’16 標準型DRAM現貨價走勢
  • 2Q’15~3Q’16三星與SK海力士NAND Flash營收變化
  • 3Q’16 NAND Flash合約價走勢
  • 5 個圖表

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