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2017年全球3D NAND Flash產能將增118% 三星維持領先

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全球NAND Flash生產主要由南韓、日本及美國三大記憶體陣營廠商包括三星(Samsung)/海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)/英特爾(Intel)掌握。隨著1Y奈米(nm)以下2D NAND Flash製程難度加劇,後續發展已見瓶頸,近年廠商多透過3D NAND Flash技術發展,突破傳統2D NAND Flash在儲存容量提升及Cell儲存單元電荷干擾等限制。

在3D NAND Flash發展上,三星量產進度及總產能最為領先,2013年即宣布量產24層3D NAND;其他廠商亦於2016年開始將部分2D NAND Flash產能轉產3D NAND Flash,陸續提高3D NAND Flash產能比重。

DIGITIMES Research預估,2017年全球3D NAND Flash產能可望較2016年大幅增加118%,2018年年增率亦將達64%。雖眾多廠商已跟進增產3D NAND Flash,但2018年三星在該領域產能仍可望維持領先。

2014~2018年全球3D NAND Flash廠商別產能比重變化及預測
註:其他廠商尚無具體3D NAND產能擴充計畫。
資料來源:DIGITIMES,2017/4

內文目錄

  • NAND Flash需求持續成長 整體產能預估年增6.2%
  • 3D NAND將是NAND Flash廠商擴產重心
  • 2017~2018年東芝與三星產能優勢可望維持
  • 3D NAND為未來市場重心 三星具產能面供給優勢
  • 結語

圖表目錄

  • 2015~2018年全球NAND Flash產能變化及預測
  • 2015~2018年全球2D與3D NAND Flash產能比重變化及預測
  • 全球記憶體廠商NAND Flash產線現況與擴產動向
  • 2015~2018年全球NAND Flash廠商別產能變化及預測
  • 2015~2018年全球NAND Flash廠商別產能比重變化及預測
  • 7 個圖表

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