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3D NAND延續摩爾定律 電容耦合效應及可靠度仍為技術發展關鍵課題

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DIGITIMES Research觀察,2D NAND Flash製程在物理限制下難度加劇,透過3D NAND Flash製程,無論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導體記憶體領域延伸的一項重要技術。

3D NAND Flash依記憶元件儲存機制可分浮動閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆疊結構技術又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG等。

在三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)/英特爾(Intel)及海力士(SK Hynix)各陣營陸續突破3D NAND Flash規模的技術障礙後,伴隨大數據、雲端應用、SSD等終端應用強烈需求下,3D NAND Flash技術已成為NAND Flash廠商在容量、效能及成本之間取得平衡的主要發展方向。

目前3D NAND Flash技術可謂百花齊放,然電容耦合效應該如何改善、可靠度該如何提升仍是主導未來3D NAND Flash技術發展的重要關鍵。

3D NAND Flash技術發展藍圖
註:CT指Charge Trap,以電荷缺陷機制儲存資料;FG指Floating Gate,以浮動閘極儲存機制儲存資料。
資料來源:各公司,DIGITIMES Research整理,2017/5

內文目錄

  • Cell結構從2D走向3D 3D NAND Flash產品應用面擴大
  • TLC Cell成技術發展主流 光罩成本為Peri製程重要考量
  • 低位元成本及高可靠度可藉製程改善及控制晶片設計實現
  • 3D NAND Flash結構有利降低製造成本、提高容量及優化性能
  • 三星在3D NAND Flash堆疊技術開發暫時領先
  • 結語

圖表目錄

  • NAND Flash的屬性及應用
  • NAND Flash晶片的基本結構
  • NAND Flash資料儲存單元的三種不同儲存架構
  • NAND Flash低位元成本及高可靠度可藉製程改善及控制晶片設計實現
  • 3D NAND Flash延伸摩爾定律在記憶體領域發展
  • NAND Flash技術發展藍圖
  • 11 個圖表

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