D Book
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 | 2H19台灣IC封測廠業績因5G而暢旺 2020年可望續迎5G需求 |
| 需求回溫與政策支持下 大陸IC封測業2019年下半成長動能展現 2020年力道可望增強 |
GaN待低成本發酵 開啟另一波市場新動能 IDM廠釋出產能 台廠可望受惠
| 高階功率離散元件需求看好 國際大廠及陸企擴大產線因應 |
| 新興半導體材料GaN具高頻與高功率特性 於5G基地台應用可望快速成長 |
新興半導體材料GaN具高頻與高功率特性 於5G基地台應用可望快速成長
| 高階功率離散元件需求看好 國際大廠及陸企擴大產線因應 |
| SiC功率半導體市場將起飛 電動車領域為主要驅動力 |
| IGBT關鍵零件佔電動車成本上看10% 2015至2021年市場將成長1.5倍 |
| 傳統材料Bulk Si技術近極限 功率半導體大廠加速投入GaN、SiC開發 |
| 高階車載娛樂系統市場快速成長 各晶片廠商加強產品布局 |
WoW與TSV 3D IC加入 台積電先進封裝技術將持續升級
| 高整合與高效能兼顧 先進封裝技術將朝WLSiP發展 |
新興記憶體MRAM蓄勢待發 2019~2020年起嵌入式需求可望起飛
| 次世代非揮發性記憶體加速導入市場 企業儲存應用具發展機會 |
| 中低容量NOR Flash陷供給過剩 2019年關注車用、TDDI及AMOLED需求成長 |
因應高效能與即時上市要求 CoWoS與SiP將成人工智慧重要封裝技術
| 高整合與高效能兼顧 先進封裝技術將朝WLSiP發展 |
| AI熱潮為高頻寬記憶體帶來新機遇 立體封裝成本及互連技術成競爭關鍵 |
2017年為4位元3D NAND Flash技術元年 耐久度與傳速等課題待克服
| 2017年全球3D NAND Flash產能將增118% 三星維持領先 |
| 3D NAND延續摩爾定律 電容耦合效應及可靠度仍為技術發展關鍵課題 |
雙次堆疊技術有助提升3D NAND Flash良率 業者考量成本 各有不同規畫
| 3D NAND Flash層數增加 於薄膜蒸鍍製程面臨生產效能與沉積層彎曲課題 |
| 2017年全球3D NAND Flash產能將增118% 三星維持領先 |
