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次世代非揮發性記憶體加速導入市場 企業儲存應用具發展機會

2017/01/23-IC製造-20170123-17-陳彥志  
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DIGITIMES Research研判,在快閃記憶體(Flash Memory)技術發展逐漸面臨瓶頸之際,次世代非揮發性記憶體技術可望於2019年起加速導入市場,當中成長潛力最高者為企業儲存應用。

隨製程演進,NAND型快閃記憶體(NAND Flash)儲存容量不斷提升,使固態硬碟(SSD)的使用率逐漸提高,並逐步淘汰機械硬碟。然而,也因為先進製程導致NAND Flash元件結構變得更容易損耗,不利於長期儲存應用,因此,記憶體廠商勢必投入次世代非揮發性記憶體的開發。

各種次世代非揮發性記憶體技術中,以自旋轉移力矩記憶體(Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memory;STT MRAM)、電阻式記憶體(Resistive Random Access Memory;RRAM)、相變化記憶體(Phase Change Random Access Memory;PCRAM)等為主軸。

然而,儘管次世代非揮發性記憶體有良好的特性,但由於NAND Flash發展時點早及投入資源龐大,早已在儲存容量與價格上建立優勢,如何以新興產品的實際性能表現說服客戶接受較高售價新品,將是新興記憶體廠商在市場推廣時的重要課題。

目前次世代非揮發性記憶體在特定領域中已獲得採用,包括工業、運輸、智慧卡、微控制器等領域。

次世代非揮發性記憶體的候選技術中,STT MRAM的元件特性較佳,但同樣面臨儲存容量不足與製造成本較高的問題。從新進廠商營運狀況亦可判斷出該產品有明確需求,也使產品能維持較高毛利率。展望未來,次世代非揮發性記憶體廠商若欲獲利,需儘速提高單位儲存容量,才能獲得更廣的應用以達成。

非揮發性記憶體儲存容量變化
資料來源:ISSCC(International Solid-State Circuits Conference),DIGITIMES整理,2016/11


  內文目錄
次世代非揮發性記憶體已在特定領域獲採用
次世代非揮發性記憶體特性良好 惟儲存容量單價有待改善
發揮低耗電及運算速度快特性 開發利基市場
MRAM技術各有擁護廠商 STT MRAM較受看好
STT MRAM供應鏈已成形
STT MRAM新進廠商仍虧損 需加強市場開拓
 圖表目錄
次世代非揮發性記憶體市場規模預測
次世代記憶體特性比較
非揮發性記憶體儲存容量變化
依技術類別投入MRAM廠商一覽
Everspin於STT MRAM產業鏈關係
Everspin各季營收、毛利率與營益率變化
7 個圖表



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