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Cell on Peri構造有利IDM提升3D NAND Flash競爭力 然良率與成本問題待解決

2016/07/04-IC製造-20160704-164-杜振宇  
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Cell on Peripheral Circuit(以下簡稱Cell on Peri)構造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營開發,採用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在週邊電路CMOS邏輯IC上的方式,以縮減採3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察,三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構造的COP(Cell Over Peri)方案,將有利整合元件廠(Integrated Device Manufacturer;IDM)三星、東芝(Toshiba)提升其3D NAND Flash競爭力。

然而,Cell on Peri構造將原先在不同製程製作的3D NAND Flash與邏輯電路結合於單一製程,雖有其優點,但尚存諸多課題,包括相關產線與設備需延伸、擴大,將導致業者的資本支出增加,且3D NAND Flash經高溫製程後,恐因高溫而破壞下方CMOS電路,將影響良率。

由於三星同時生產3D NAND Flash與邏輯電路,如Cell on Peri構造能克服良率與成本等問題,可望成為其爭取蘋果(Apple)應用處理器(Application Processor;AP)訂單的優勢,而東芝半導體事業涵蓋3D NAND Flash與系統LSI,美光與英特爾陣營亦可結合雙方3D NAND Flash與CPU,運用Cell on Peri構造,有助其提升3D NAND Flash競爭力。

另外,3D NAND Flash若引進Cell on Peri構造,由於在形成週邊區域後,需經過化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing;CMP)製程使之平坦化,才能於其上形成3D NAND Flash晶胞陣列,將使得CMP製程的重要性提高。

美光與英特爾陣營於3D NAND Flash所開發的Cell on Peri構造
資料來源:美光、英特爾、南韓NH投資證券,DIGITIMES整理,2016/6


  內文目錄
Cell on Peri構造有利採3D NAND Flash解決方案縮減晶片面積
Cell on Peri有助IDM提升競爭力 然存在良率與成本等問題
Cell on Peri構造將使CMP製程重要性提高 相關設備由美日商居領導地位
結語
 圖表目錄
美光與英特爾陣營於3D NAND Flash所開發的Cell on Peri構造
Cell on Peri構造有利採3D NAND Flash解決方案縮減晶片面積示意圖
三星提出將3D記憶體陣列堆疊於週邊電路上的Cell Over Peri方案
3D NAND Flash引進Cell on Peri構造所需化學機械研磨製程示意圖
7 個圖表



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