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 Industry Review: 2Q'16南韓記憶體產業觀察:產值季增6.6% 3Q'16可望朝113億美元邁進

2016/08/29-IC製造-20160829-207-范維君  
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觀察2016年第2季南韓記憶體產業發展,由於DRAM價格逐漸觸底、NAND Flash價格攀升、智慧型手機等主要終端裝置出貨增加,南韓記憶體產值再度攻上12兆韓元,達12.25兆韓元(約107億美元),較前季成長6.6%,但較2015年同期衰退6.0%;DRAM與NAND Flash產值分別為7.8兆及4.45兆韓元,比重分別為63.7%及36.3%,相較第1季的65.6%與34.4%,NAND Flash比重提升2個百分點。

三星(Samsung)已於2016年第1季量產18奈米製程DRAM,2016年第2季生產比重持續提升,並開始將18奈米製程導入伺服器用DRAM及行動(Mobile)DRAM生產。2016年第2季,三星行動DRAM全球市佔表現更上層樓,達61.5%的歷史新高水準。

2016年第2季,SK海力士(SK Hynix)DRAM及NAND Flash營收佔比為73.3%與26.7%,相較2016年第1季,NAND Flash佔比提升5個百分點。SK海力士21奈米製程DRAM開始陸續出貨,也開始導入行動DRAM生產,預計2016年底21奈米製程產品比重將大幅提升。但與三星表現相較,2016年第2季SK海力士行動DRAM全球市佔率為25.1%,季減1.8個百分點。

DIGITIMES Research預測,雖有韓元兌美元持續升值的不利因素,但2016年第3季由於是終端裝置需求傳統旺季,DRAM及NAND Flash出貨將進一步增加,加上智慧型手機行動DRAM單機搭載容量不斷提升、SSD滲透率持續提高及DRAM價格回穩等有利因素,南韓記憶體產值有望季增7%左右,進一步挑戰13兆韓元(約113億美元)大關。

1Q’15~3Q’16三星與SK海力士NAND Flash營收變化及預測
資料來源:各公司、DIGITIMES,2016/8


  內文目錄
2Q’16淡季不淡 南韓記憶體產值季增6.6%
南韓DRAM產值季增3.4% 全球市佔高達75%
市場需求旺盛 南韓NAND Flash產值雙位數成長
3Q’16南韓記憶體產值有望上攻13兆韓元
3D NAND Flash擴產熱潮持續增溫
 圖表目錄
1Q’15~2Q’16南韓記憶體產值變化
1Q’15~3Q’16三星與SK海力士DRAM營收變化及預測
3Q’15~2Q’16 標準型DRAM現貨價走勢
1Q’15~3Q’16三星與SK海力士NAND Flash營收變化及預測
2016年3月至6月 NAND Flash合約價走勢
6 個圖表



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