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 Industry Review: 1H'17南韓記憶體產業觀察:4Q'16產值創新高 1H'17可望延續榮景

2017/04/05-IC製造-20170405-69-范維君  
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觀察2016年第4季南韓記憶體產業發展,主要因全球PC、智慧型手機等終端產品出貨增加,加上DRAM與NAND Flash價格翻揚,帶動產值達16.8兆韓元(約147億美元),較前季成長20.7%,更較2015年同期增加33.4%。

南韓該季DRAM與NAND Flash產值比重分別為62.5%與37.5%,與前季相較,變動幅度未達1個百分點,相對於2015年第1季南韓DRAM產值佔比高達70%,近2年來DRAM產值佔比已下降7個百分點,近1年來也下降3個百分點,NAND Flash重要性日益提升。

DIGITIMES Research預測,2017年第1季與第2季雖是終端市場出貨淡季,但隨智慧型手機記憶體單機搭載容量提升、搭載3D NAND Flash的固態硬碟(SSD)滲透率提高,及IT企業建置資料中心,擴大記憶體需求,加上DRAM與NAND Flash價格翻揚,2017年上半南韓記憶體產業有望延續2016年第4季榮景,2017年第2季更可望進一步挑戰17兆韓元產值大關。

2017年上半,三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士DRAM仍以擴大先進製程佔比為首要目標,三星將擴大18奈米製程比重,SK海力士將擴大21奈米製程比重,獲利表現可望提升,對新投資DRAM產線態度保守。

相較之下,兩韓廠仍積極投資3D NAND Flash,三星將加速量產64層3D NAND Flash,SK海力士48層3D NAND Flash量產也將逐漸步上軌道。

1Q’15~1Q’17南韓記憶體產值變化
註:為三星與SK海力士記憶體營收合計值。
資料來源:三星電子、SK海力士、DIGITIMES,2017/3


  內文目錄
4Q’16韓記憶體產值季增20% 年成長33%
4Q’16韓DRAM產值季增19% SK海力士全年衰退11%
DRAM價格大漲 韓廠擴產腳步躊躇
三星引領2016年韓NAND Flash產值成長23%
NAND Flash面臨製程轉換期 市況供需吃緊
韓記憶體有望挑戰單季150億美元產值
 圖表目錄
1Q’15~1Q’17南韓記憶體產值變化
1Q’15~4Q’16三星與SK海力士DRAM營收變化
3Q’15~1Q’17標準型DRAM現貨均價走勢
May’16~Feb’17 DDR3/DDR4 4Gb 512Mx8 DRAM合約價走勢
May’16~Feb’17 DDR3/DDR4 4GB DRAM模組合約價走勢
1Q’15~4Q’16三星與SK海力士NAND Flash營收變化
8 個圖表



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