氮化鎵高功率密度電源設計

德州儀器(TI)日前推出熱門培訓系列課程「氮化鎵高功率密度電源設計」，本課程中探討GaN氮化鎵在電路上的優勢，並對比SiC、Silicon及不同晶片的差異，詳細介紹TI GaN晶片的動作原理，以及建議電路散熱方案，並提供電路設計範例讓使用者做參考。

「氮化鎵高功率密度電源設計」課程1，本節課程對於GaN晶片與其他電源晶片控制上的差異以及分析，並介紹TI GaN晶片所提供的晶片動作功能解說。「氮化鎵高功率密度電源設計」課程2，本節課程對於TI GaN晶片運用前後的差異對比，在不同的型號做應用場域上的區分以及講解，對於TI GaN晶片本身擁有的溫度、電流偵測進行介紹，說明運用TI GaN的優勢，並用Boost電路來解說運作原理。

「氮化鎵高功率密度電源設計」課程3，本節課程對於TI GaN晶片與不同材料晶片差異對比，對於TI GaN晶片也提供了相對應的散熱方案，而運用TI GaN晶片在Layout上也提供了需要注意的重點，並提供範例電路。關於上述課程詳細，邀請您至TI線上培訓查詢。