CEA-Leti開發新FD-SOI方法 可降低功耗30％、時脈提高450％
- 陳端武／綜合外電
法國研究機構CEA-Leti攜手Dolphin Design開發了用於全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)晶片的自適應反遍壓(Adaptive Back-Biasing；ABB)架構，讓微型穩壓器能穩定控制晶片中的ABB，在降低功耗30%同時能提高工作頻率450%。
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