意法半導體推出新款MasterGaN4元件
- 賴品如／台北
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意法半導體(STMicroelectronics；ST；紐約證券交易所代碼：STM)推出新MasterGaN4，其功率封裝整合了兩個對稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率電晶體，以及優化的閘極驅動器和電路保護功能，可以簡化高達200W的高效能電源轉換應用設計。
作為意法半導體MasterGaN系列的最新產品，MasterGaN4解決了複雜的閘極控制和電路配置挑戰，並進一步簡化了寬能隙GaN功率半導體的應用設計。MasterGaN4的輸入容許電壓為3.3~15V，可以直接與控制器連線，例如，霍爾效應感測器或微控制器、DSP處理器、FPGA可程式設計元件等CMOS晶片。
GaN電晶體的優勢包括出色的開關效能、更高的運作頻率、更高效能效，而且發熱更少，設計人員可以選用尺寸更小的磁性元件和散熱器，以設計出更小、更輕的電源、充電器和轉連接器。MasterGaN4非常適用於對稱半橋拓撲以及軟開關拓撲，例如，有源鉗位反激式和有源鉗位正激式轉換器。
4.75~9.5V的寬電源電壓便於MasterGaN4與現有電源軌連線。內建保護功能，包括閘極驅動器互鎖、高低邊欠壓鎖定(UVLO)以及過熱保護，可進一步簡化應用設計。
另外還有一個專用的關斷腳位。同時，意法半導體還推出一個MasterGaN4原型開發板(EVALMASTERGAN4)。這塊評估板提供使用單一或互補訊號驅動MasterGaN4的全部功能，以及一個可調的死區時間產生器。
使用者可以靈活地施加一個單獨輸入訊號或PWM訊號，插入一個外部自舉二極體，隔離邏輯元件和閘極驅動器電源軌，以及使用一個低邊電流採樣電阻設計峰值電流模式拓撲。MasterGaN4現已量產，其採用9mmx9mmx1mm GQFN封裝，超過2mm的爬電距離確保在高壓應用中的使用安全。
