華邦QspiNAND Flash提升Qualcomm 9205平台競爭力

W25N512GW

全球半導體儲存解決方案領導廠商華邦電子宣布推出擁有新功能的QspiNAND Flash，是專為Qualcomm 9205 LTE數據機而設計的。華邦推出業界首創的1.8V 512Mb (64MB)QspiNAND Flash，為新型行動網路NB-IoT模組的設計人員提供正確的儲存容量。

WebFeet Research總裁Alan Niebel表示，到了2020年，物聯網的規模將成長到500億個連網裝置，未來幾年Quad SPI-NAND的採用率可能會增加4~5倍，華邦的1.8V QspiNAND Flash相當適合汽車及IoT產業使用。NB-IoT已經蓄勢待發，在全新的連網世界中茁壯成長，2023年之前出貨量可望達到全球6億8,500萬個裝置。

華邦電子美國分公司快閃記憶體事業群行銷部門總監Syed S. Hussain表示，華邦很榮幸能全心投入創新及產品差異化，設計出QspiNAND Flash KGD解決方案，並獲得 Qualcomm Technologies採用在Qualcomm 9205 LTE主控晶片中。我們會持續與Qualcomm Technologies密切合作開發記憶體元件，打造適合IoT應用的次世代LTE數據機解決方案。

華邦立足於傳統QSPI-NOR Flash，並進軍QSPI-NAND Flash領域，客戶可根據自身需求，自由選擇編碼儲存元件，以最低成本擴充規模。使用相同的6針腳訊號及QSPI 指令集提供SLC NAND Flash的大容量，並採用104MHz讀取速度的全新的Continuous Read功能，效能毫不減損。

Qualcomm Europe Inc.產品管理副總裁Vieri Vanghi表示，Qualcomm Technologies已對華邦的QspiNAND Flash進行各種測試及驗證，目前以堆疊KGD解決方案形式運用於Qualcomm 9205 LTE數據機，讓OEM客戶能打造出外型極為精巧的系統。我們很榮幸能與華邦維持長久的合作關係，期望雙方能繼續共同提供頂尖的IoT技術解決方案。

W25N QspiNAND Flash系列裝置採用節省空間的8針腳封裝，以往的SLC NAND Flash無法做到這一點。W25N512GW為512Mb記憶體，陣列分為32,768個可編程頁面，每頁面為2,112位元組。W25N512GW提供全新的Continuous Read模式，可利用單一讀取指令高效存取整個記憶體陣列，是編碼映射(code shadowing)應用的理想選擇。

104MHz的時脈速度，可在使用快速讀取Dual/Quad I/O指令時，達到相當於416MHz(104MHz x 4)速度的Quad I/O效能。晶片內建不良區塊管理功能，讓NAND Flash更容易管理。

為滿足全球對大容量解決方案持續成長的需求，華邦QspiNAND Flash在台灣台中的12吋晶圓廠進行製造。華邦正在擴展產能，以因應及確保支援汽車與IoT產業因全新業務帶來的預期成長。

華邦快閃記憶體技術總監J.W. Park表示，SpiFlash系列在加入QspiNAND Flash產品線後，有利於現有的QSPI-NOR Flash及Parallel NAND Flash轉換為QspiNAND Flash。華邦與客戶工程團隊合作開發這款全新的512Mb QspiNAND Flash，在符合成本效益的設計原則下，同樣提供優異的效能。1.8V QspiNAND Flash特色如下：

低功率且涵蓋不同使用場景的工作溫度 ：擁有1.75V~1.95V供電、工作電流25mA、待機電流10μA、深度省電(Deep Power Down)電流1μA、-40°C~+85°C工作溫度(工規級)、-40°C~+105°C工作溫度(工規進階級與車規級)。

獨特的記憶體架構：能啟用ECC時的頁面讀取時間只要60μs、頁面寫入時間只要250μs(標準值)、區塊抹除時間只要2ms(標準值)、並能快速編程/抹除的效能、支援OTP記憶體區域

高效能高可靠性的QspiNAND Flash：QSPI實作採用46nm製程技術，並且資料保持10年以上，支援最高每秒52MB的資料傳輸率

節省空間的封裝：尺寸如下，WSON8 6x8mm、WSON8 5x6mm、TFBGA24 6x8mm、KGD(良裸晶粒)。

W25N512GW目前已上市。如需QspiNAND Flash特定詳細資訊，請聯絡官方網站。