盛美半導體設備推出18腔單晶圓清洗設備

盛美半導體設備近日發布了Ultra C VI單晶圓清洗設備，這是加入Ultra C清洗系列的最新產品。Ultra C VI旨在對動態隨機存取記憶體(DRAM)與3D NAND閃存晶圓進行高產能清洗，以實現縮短存儲產品的生產周期。這款新產品以盛美成熟的多腔體技術為基礎，進一步擴展了清洗設備產品線。Ultra C VI系統配備了18個單片清洗腔體，對比盛美現有的12腔設備Ultra C V系統，其腔體數及產能增加了50%，而其設備寬度不變只是設備長度有少量增加。

盛美董事長王暉博士表示，儲存產品的復雜度不斷提高，但仍然對產量有嚴格的要求。當清洗製程的時間逐漸加長或開始采用更復雜的幹燥技術時，增加清洗腔體有效解決產能問題，使先進存儲裝置製造商保持甚至縮短產品的生產周期。18腔清洗設備將是解決這類問題的利器。Ultra C VI平衡了腔體數量配置，在實現高產能(wafer-per-hour)的同時，兼顧了與工廠自動化能力的匹配，同時也避免因腔體數量過多而面臨的設備宕機壓力。

Ultra C VI可進行低至1y節點及以下節點的先進DRAM產品和128層及以上層數的先進3D NAND產品的單晶圓清洗。該設備可根據應用及涉及的化學方法運用於各種前道和後道製程，如聚合物去除、中段鎢或後段銅製程的清洗、沈積前清洗、蝕刻後和化學機械研磨後清洗、深溝道清洗和RCA標準清洗。

清洗過程中可使用多種化學組合，包括標準清洗、氫氟酸、臭氧去離子水、稀硫酸雙氧水混合液、有機溶劑或其他製程化學品等。最多可對其中兩種化學品進行回收，節約成本。由於該設備與盛美現有設備的寬度相同，也有助於提高晶圓廠的空間利用率，並降低成本。