Microchip持續擴大氮化鎵射頻功率元件產品組合

Microchip Technology宣布大幅擴展其氮化鎵(GaN)射頻(RF)功率元件產品組合，推出頻率最高可達20 GHz的新款單晶微波IC(MMIC)和分離電晶體。這些元件同時具備高功率附加效率(PAE)和高線性度，為5G、電子作戰、衛星通訊、商業和國防雷達系統及測試設備等應用提供了新的效能水準。

與所有Microchip的GaN射頻功率產品一樣，新元件採用碳化矽基氮化鎵技術製造，提供了高功率密度和產量的最佳組合，可在高壓下運行，255℃接面溫度下使用壽命超過100萬小時。

這些產品包括涵蓋2至18GHz、12至20GHz和12至20GHz的氮化鎵MMIC，3dB壓縮點(P3dB)射頻輸出功率高達20W，效率高達25%，以及用於S和X波段的裸晶和封裝氮化鎵MMIC放大器，PAE高達60%，以及涵蓋直流至14 GHz的分離高電子遷移率電晶體(HEMT)元件，P3dB射頻輸出功率高達100W，最大效率為70%。

Microchip分離產品業務部副總裁Leon Gross表示：「Microchip持續投入打造GaN射頻產品系列，以支援從微波到毫米波長所有頻率的各種應用。我們的產品組合包括從低功率水準到2.2千瓦的50多種元件。日前宣布推出的產品跨越了2至20GHz，旨在解決5G和其他無線網路採用的高階調變技術帶來的線性度和效率挑戰，以及滿足衛星通訊和國防應用的獨特需求。」

除GaN元件外，Microchip的射頻半導體產品組合包括砷化鎵(GaAs)射頻放大器和模組、低雜訊放大器、前端模組(RFFE)、變容二極體、蕭特基和PIN二極體、射頻開關和電壓可變衰減器。此外，公司還提供高效能表面聲波(SAW)感測器和微機電系統(MEMS)振盪器以及高度整合的模組。這些模組將微控制器(MCU)與射頻收發器(Wi-Fi MCU)相結合，支援從藍牙和Wi-Fi到LoRa的主要短程無線通訊協定。