意法半導體推出40V STripFET F8 MOSFET電晶體 具備更佳節能降噪特性

意法半導體推出40V STripFET F8 MOSFET電晶體，具備更佳節能降噪特性。意法半導體

意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM)推出新40V MOSFET電晶體STL320N4LF8和STL325N4LF8AG降低導通電阻和開關損耗，同時優化體寄生二極體之特性，降低功率轉換、馬達控制和配電電路的耗能和雜訊。

新型40V N溝道加強型MOSFET利用最新一代STPOWER STripFET F8氧化物填充溝槽技術達到卓越的品質因數。在閘源極電壓(V_GS)為10V時，STL320N4LF8和STL325N4LF8AG之最大導通電阻(R_ds(on) )分別為0.8mOhm和和0.75mOhm。新MOSFET的裸片單位面積(R_ds(on))電阻非常低，因此可採用節省空間且熱效率高的PowerFLAT 5x6封裝。

意法半導體先進STripFET F8技術開關速度十分出色，其低晶片電容可以最大限度降低柵漏電荷等動態參數，提升系統效能。設計人員可在600kHz至1MHz範圍內選擇開關頻率，以便於使用尺寸更小的電容和磁性元件，進而節省電路尺寸和物料清單成本，提升終端應用的功率密度。

適當的輸出電容和相關的等效串聯電阻可防止漏源電壓出現尖峰，並確保在二極體關斷時突降振盪時間更短。 藉由這一點和二極體的軟恢復特性，STL320N4LF8和STL325N4LF8AG發出的電磁干擾(EMI)低於其他類似元件。此外，體寄生二極體的反向恢復電荷極低，可最大限度地減少硬開關拓撲的能量損耗。

閘極閾壓(V_GS(th) )在STL320N4LF8和STL325N4LF8AG中受到嚴格控制，確保元件之間的閾壓差異低，以便並聯多個MOSFET功率元件，處理更大的電流。其短路耐受能力亦非常出色，可承受高達1000A的電流(脈衝短於10µs)。STL320N4LF8和STL325N4LF8AG分別為首款符合工業標準和AEC-Q101汽車標準的STPOWER STripFET F8 MOSFET元件，是電池供電產品和運算、電信、照明和通用功率轉換應用的理想選擇。STL320N4LF8和STL325N4LF8AG均已量產。更多資訊(請造訪)