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新思科技DesignWare PVT子系統推動台積電N3製程技術

  • 吳冠儀台北

新思科技推出適用於台積電領先業界N3製程技術之DesignWare製程、電壓與溫度監控與感測子系統IP。PVT監控與感測子系統IP已納入台積電9000計劃 (TSMC9000 Program)、台積電技術元件資料庫(library)以及IP品質管理計劃中,針對各種目標市場應用,包括人工智慧(AI)、資料中心、高效能運算(HPC)、消費性產品及5G等,為客戶提供極具競爭力的效能優勢。

以台積電先進製程作為晶片設計目標的SoC設計人員,可利用深度嵌入式PVT監控和感測子系統技術,評估生產過程中的關鍵晶片參數,以及在裝置生命週期的每個階段進行即時動態條件的測量和分析。

目前已隸屬新思科技的Moortec所提供的晶片內(in-chip)感測仍然是當今先進製程技術中能實現最高效能和可靠性的要素,可支援優化方案、遙測(telemetry)和分析。子系統中的IP是新思科技晶片生命週期管理(Silicon Lifecycle Management;SLM)平台的基礎元素。

SLM流程始於在晶片深處放置晶片內感測器和PVT監視器,其所提供的資料將有助於了解晶片效能和功耗活動,並讓SLM平台的分析引擎能夠在半導體生命週期的每個階段(從早期設計到實地模式運作階段)帶來更詳細精確的優化。

台積電設計建構管理處副總經理Suk Lee表示,台積電持續與生態系統合作夥伴合作,解決客戶在功耗和效能方面的設計挑戰,並透過使用台積電最新技術的設計解決方案,實現新一代的晶片創新。

最新的新思科技DesignWare PVT監控IP證明了雙方持續合作的價值,雙方客戶在受益於台積電N3製程技術所帶來的功耗和效能優勢的同時,新的IP也將持續提供產品支援。

DesignWare PVT子系統的創新模組化設計提供了PVT監視器的結構,可根據目標應用進行高度配置。用於台積電N3製程技術的最新解決方案包括:可實現高度局部化熱分析的分散式熱感器、防止熱散逸的可編程防護之新型災難跳閘感測器,以及額外的熱二極體,即使晶片在未供電的狀況下,也能提供獨立的晶片溫度測量。整個系統由第四代PVT控制器控制,允許輕鬆存取來自個別嵌入式監視器和感測器的多個實例數據。

新思科技硬體分析及測試事業群副總裁Amit Sanghani表示,設計的複雜性和裝置閘密度不斷增加,在相關需求的推動下,PVT監控的採用關係著先進節點的晶片設計是否成功。

全套的DesignWare嵌入式PVT監視器和感測器是新思科技創新的新型晶生命週期管理平台(Silicon Lifecycle Management Platform)的一環,將為晶片設計界提供創新的晶片內感測技術、即時的深度晶片洞悉,並在整個晶片生命週期中提升產品的利用率。