盛美前進邊緣刻蝕領域 新品支持3D NAND、DRAM

盛美半導體設備日前公布的邊緣濕法蝕刻設備，進一步拓寬了盛美濕法設備的涵蓋面。該新設備使用濕法蝕刻方法來去除晶圓邊緣的各種電介質、金屬和有機材料薄膜，以及顆粒污染物。

這種方法最大限度地減少了邊緣污染對後續製程步驟的影響，提高了晶片製造的良率，同時整合背面晶圓清洗的功能，進一步優化了製程和產品結構。

盛美半導體設備董事長王暉表示，在IC製造製程裡，特別是在3D NAND、DRAM和先進邏輯製程中，晶圓邊緣剝離、雜質顆粒和殘留物會導致晶圓邊緣良率降低，現在這個問題的解決對於優化整體製程良率變得越來越重要。

盛美開發的邊緣濕法蝕刻清洗設備可有效解決這種邊緣良率降低的問題，這款新產品也把盛美在濕法製程的專業技術拓展到邊緣蝕刻應用領域。該產品不僅具備明顯的效能優勢，而且可以顯著減少化學品的用量。

濕法蝕刻它避免了產生電弧和矽損傷的風險，同時還能通過1-7毫米可變的晶圓邊緣薄膜蝕刻/切割精度、良好的均勻性、可控的蝕刻選擇性和較低的化學品消耗量，來降低總體擁有成本。