周星工程研發出分區電漿化學氣相沈積半導體製造設備

全球首款分區電漿化學氣相沈積(SDPCVD)半導體製造設備。

專精生產半導體、顯示器、太陽能電池和發光二極體(LED)、有機發光二極體(OLED)製造設備的周星工程，成功開發出分區電漿化學氣相沈積(Space Divided Plasma Chemical Vapor Deposition；SDPCVD)半導體製造設備，可用於先進技術世代的薄膜沈積製程。

這台SDPCVD創新製造設備結合了原子層沉積(Atomic Layer Deposition；ALD)製程的薄膜品質，以及電漿輔助化學氣相沈積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition；PECVD)的高生產力。此外，此一加入電漿輔助能量的製程技術在維持先進技術世代所需的最高品質薄膜沈積的同時，亦能降低低壓化學氣相沈積(Low Pressure Chemical Vapor Deposition；LPCVD)的熱積存(Thermal Budget)。

SDPCVD為ALD、PECVD、LPCVD沈積製程通用平台，晶圓處理可於300°C以下的低溫進行。新一代的半導體設備必須能於低溫條件下生成絕佳品質的薄膜，但目前市場上的既有技術只要低於700°C就無法提供高品質的薄膜，SDPCVD解決了這個難題。不論對半導體製程設備市場或是下世代半導體元件的開發都是革命性的進展，同時也為大量生產提供了高生產力和便於維護的好處。

SDPCVD可用以取代20奈米或更先進半導體製程所使用的各種化學氣相沈積製程，這些半導體製程包括氧化矽(Silicon Oxide)薄膜、氮化矽(Silicon Nitride)薄膜、金屬薄膜和高介電(High-K)常數薄膜的製程。

周星工程研發的SDPCVD為全球首款結合新式電漿技術和分區沈積技術的半導體製造設備，能生成均一且高品質的薄膜，此高品質薄膜先前只有採LPCVD製程在700°C以上才能生成。SDPCVD的獨特電漿輔助方式能讓製程溫度控制在300°C以下，且不會有電漿損傷(Plasma Damage)的問題。SDPCVD將對未來技術發展造成重大改變。

在全球ALD市場擁有相當高市佔率的周星工程深信，此具有革命性的SDCVD能解決既有ALD沈積設備生產力低和LPCVD沈積設備高降溫成本的問題；可作為ALD、LPCVD、PECVD通用平台的SDCVD，必能成為全球科技業的核心製造設備。

用詞說明

化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition；CVD)：化學氣相沈積製程讓氣體化學反應所產生物質在晶圓表面沈積。

原子層沉積(Atomic Layer Deposition；ALD)：此一奈米薄膜沈積技術使用了在半導體製程當中化學沈積所得的單一原子層。藉由分子在晶圓表面進行的吸附、取代作用，便能夠讓原子層形成極薄的薄膜，並以疊層方式持續堆疊，這能讓氧化物和金屬薄膜儘量達到薄且均一的目標。如此作法讓原子層沉積製程可在500°C以下的較低溫度下形成品質極佳的薄膜。

分區化學氣相沈積(Space Divided CVD；SDCVD)：此款由周星工程研發的全球首見奈米級ALD沈積設備採用了分區CVD技術，而非傳統的分時CVD技術。

分區電漿化學氣相沈積(Space Divided Plasma CVD；SDPCVD)：此款設備結合了由周星工程首創的分區化學氣相沈積技術和新式電漿技術。

關於周星工程

周星工程成立於1995年，為首家在南韓本地與全球打開市場的南韓半導體設備業者，持續累積優良名聲。藉著公司擁有的世界級原創技術，周星工程在2002年成功進入顯示器設備產業，接著於2006年進入太陽能設備產業，在多角化公司事業上建立了少有的成就。2010年周星工程更進一步證明在LED與OLED市場亦具有全球最具競爭力的技術，並成為下世代設備市場的領導者。