羅姆GaN、SiC雙管齊下 打入基地台、光達等供應鏈
- 何致中／台北
具有高功率密度特色的寬能隙(WBG)第三代半導體如氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)成為全球大廠鴨子划水的潛力新藍海，日系IDM功率元件大廠羅姆半導體(Rohm)持續祭出雙管齊下的發展策略。
近期羅姆宣布，GaN元件升級新產品配合兼顧高散...
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