GAAFET製程約9成可再利用 不影響後端布線
- 梁燕蕙／綜合報導
無論是10年前，英特爾(Intel)率先在22奈米製程、從平面半導體架構轉向鰭式場效電晶體(FinFET)；還是10年後包括三星電子(Samsung Electronics)、台積電以及英特爾將陸續在3奈米以下先進製程導入環繞式閘極場效電晶體(GAAFET)架構，...
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議題精選－先進製程三雄邁步3奈米GAAFET架構
