宋在赫新上任三星半導體新主管 三星搶2022年底推224層V-NAND 智慧應用 影音
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宋在赫新上任三星半導體新主管 三星搶2022年底推224層V-NAND

  • 梁燕蕙綜合報導

不同於DRAM至今仍糾結於2D平面的方寸之間,NAND Flash廠商已經開啟在3D堆疊領域的競逐,預計176層3D NAND有望成為2022年市場競爭的重點。相較於美光(Micron)早在2020年11月,率先業界量產176層3D NAND,SK海...

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