意法半導體的碳化矽二極管範圍為 600 至 1200 V（作為單二極管和雙二極管），並具有無與倫比的反向恢復特性和改進的 VF。它們有各種封裝可供選擇，包括從 D²PAK 到 TO-247 以及絕緣 TO-220AB / AC，為尋求效率、堅固性和快速上市的設計師提供了極大的靈活性。
意法半導體的 SiC 肖特基二極管可顯著降低功耗，通常用於高端伺服器和電訊電源等硬交換應用，同時也用於太陽能逆變器、電機驅動器和不間斷電源 (UPS)。
意法半導體的汽車級 650 和 1200 V SiC 二極管符合 AEC-Q101 標準並支持 PPAP，具有市場上最低的正向壓降 (Vf)，可實現電動汽車F)，可實現電動汽車 (EV) 應用的最佳效率。

STPOWER SiC MOSFET 現在將創新的寬帶隙材料 (WBG) 的優勢帶入您的下一個設計中。意法半導體 SiC MOSFET 自 2014 年起投入量產，可提供範圍從 650 至 1700 V 甚至更高的額定電壓範圍，具有最先進的技術平台，提供出色的開關性能以及非常低的導通電阻。得益於意法半導體碳化矽專家所做的出色工作，配備意法半導體 SiC MOSFET 的系統可以受益於卓越的品質，幾乎可以與傳統的矽技術相媲美。意法半導體 SiC MOSFET 讓您能夠設計比以往更高效、更緊湊的系統。