意法半導體提供從 300 到 1250 V 的全面 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）產品組合，包括採用平面穿通 (PT) 和溝槽柵場截止 (TFS) 技術的產品。IGBT 屬於STPOWER 系列。
意法半導體的 IGBT 在開關性能和通態行為（變量）之間提供了最佳的折衷方案，適用工業和汽車領域的應用，例如通用逆變器、電機控制、家電、暖通空調、UPS/開關電源、焊接設備、感應加熱、太陽能逆變器、牽引逆變器、車載充電器和快速充電器。
我們的 IGBT 既有裸晶片，也有封裝的離散元件。

高低壓應用領域的領先電源技術與完整的封裝範圍以及創新的晶片鍵合技術相結合，彰顯了意法半導體在 STPOWER 系列功率晶體管方面的創新。意法半導體提供了電壓範圍介於 -100 至 1700 V 的功率 MOSFET、擊穿電壓介於 300 至 1700 V 的IGBT 以及電壓介於 15 至 1700 V 的 功率雙極晶體管 的全面產品組合。由於意法半導體的電源電子系統的散熱設計得到改進，我們的碳化矽(SiC) MOSFET得益於業界最高的 200°C 額定溫度和 650 至 1700 V 的電壓範圍，確保了良好的魯棒性。此外，我們的矽基底氮化鎵 (GaN/Si) 晶體管具有出色的特定動態導通電阻和介於 100 和 650 V 的小電容，可實現最高效率和最高功率密度。

意法半導體的功率 MOSFET 產品組合提供了 –100 至 1700 V 的廣泛擊穿電壓，具有低柵極電荷和低導通電阻，並結合最先進的封裝。意法半導體的高壓功率 MOSFET（MDmesh™）和低壓功率 MOSFET (STripFET) 工藝技術可確保增強功率處理能力，從而提供高效率的解決方案。功率 MOSFET 屬於STPOWER系列。

意法半導體提供了用於MOSFET和IGBT的STGAP系列隔離式柵極驅動器，可在連接到系統控制部分的輸入部分和被驅動的MOSFET或IGBT之間提供電流隔離。
Galvanic isolation使用高壓，on chip, 微型變壓器以實現電流隔離，從而確保命令和診斷信息能夠可靠地從電路的浮動部分（相對於地面）傳輸和傳輸。
STGAP隔離式柵極驅動器非常靈活，因為它們提供了大量參數，可以對其進行調整，以使其最佳匹配所選的MOSFET或IGBT以及系統要求。它們還提供廣泛的診斷功能，以幫助增強系統的魯棒性和可靠性。提供評估硬件，軟件和技術文檔，以幫助縮短上市時間。

邁向更高能效世界的關鍵在於使用新材料，例如寬帶隙半導體 (WBG)，它可提高功率效率、減小尺寸、減輕重量、降低系統成本或將所有這些優點結合在一起。意法半導體提供最廣泛的產品和技術組合，包括碳化矽 (MOSFET) 和氮化鎵 (e-mode HEMT) 裝置，涵蓋裸片、分立裝置和模塊，屬於STPOWER系列。