首頁 射頻晶體管

STPOWER RF DMOS 晶體管

意法半導體提供了廣泛的射頻 DMOS(雙擴散金屬氧化物半導體)晶體管產品組合,其工作電壓範圍為 50 至 100 V,具有很高的可靠性(100 萬次電源循環)。我們的射頻 DMOS 晶體管針對 1 至 250 Mhz 頻率範圍內的應用,具有高峰值功率(高達 1.2 kW)和高耐用性(無限:1 VSWR)。

意法半導體的射頻 DMOS 晶體管基於優化的工藝佈局,可改善射頻性能,最適合:

  • 射頻等離子體發生器
  • 雷射驅動器
  • 射頻加熱和除霜
  • 磁共振成像 (MRI)
  • 高頻收發器
  • 調頻廣播

除了採用意法半導體創新的 STAC® 氣腔封裝的裝置(其熱阻降低 25%)之外,我們還提供一系列防潮射頻晶體管,其採用凝膠填充封裝,為在高濕度環境中運行的設備提供了一種經濟高效的解決方案。
為幫助工程師快速將其設計推向市場,我們提供了廣泛的評估板以及多種軟體模擬器和分析工具。

STPOWER RF LDMOS 晶體管

意法半導體提供廣泛的射頻 LDMOS(橫向雙擴散金屬氧化物半導體)晶體管產品組合,其工作電壓為 7 至 50V。它們的目標應用範圍是 1 MHz 至 4 GHz 頻率範圍,並具有高峰值功率(> 1 kW)和高耐用性。
我們的最新 28V 和 50V LDMOS 技術旨在提高晶體管的功率飽和能力,最大程度地降低高功率電平下的失真,其 RF 性能(+3 dB,效率 +15%)、耐用性和可靠性得到改善。

目標應用包括:

  • ISM 與廣播
  • 行動與寬帶通訊
  • 航太電子與雷達
  • 電訊和衛星通訊

我們的 PowerSO-10 塑料封裝是一種高功率 SMD 封裝,旨在提供高可靠性,並針對射頻需求和易於組裝進行了專門優化。某些裝置也可以裸片形式用於板載芯片 (CoB) 設計。
除了廣泛的評估板之外,意法半導體還提供了多種軟體模擬器和分析工具,可幫助工程師快速將其設計推向市場。