Lam Research以創新製程技術驅策半導體突破　成就新世代

Lam Research以創新製程技術驅策半導體突破，成就新世代。Lam Research

過去數十年來，Lam Research挑戰假設、打破常規。當科技發展越趨精密，我們更需宏觀思考，不斷地驅策半導體產業突破疆界，並開發出能使晶片製造商不斷進展的解決方案。

半導體製造是一連串高度複雜疊代的過程。我們的客戶面臨巨大的技術挑戰，需要專注在原子級微縮的創新技術來製造尺寸更小、堆疊層數更高以及效能更提升的原件。Lam Research提供業界領先的製程技術，如乾式光阻(Dry Resist)、選擇性蝕刻(Selective Etch)和原子層沉積(ALD)來協助我們的客戶解決難題。

隨著領先的晶片製造商正把EUV微影系統投入大量生產之用，進一步的提高生產力和解析度是必要的，才能以更具成本效益的方式微縮至未來的製程節點。Lam Research的乾式光阻和顯影技術提供了獨特的能力，讓晶片製造商只需更改沉積和顯影時間便可改變光阻劑厚度。透過實現更低的劑量和更高的解析度，進而提高生產力並擴大曝光製程空間。

2020年9月Lam Research發表先進的Striker FE平台則是製造高深寬比晶片架構的新型製程解決方案。利用創新、同類產品首創的ICEFill技術，來填充3D NAND、DRAM和邏輯元件在先進製程節點的極端結構。

Striker FE平台的ICEFill專利表面改良技術，可實現更佳的從下而上、且無空隙的間隙填充，並保有ALD(原子層沉積)固有的薄膜品質，同時還可避免DRAM和邏輯元件的塌陷問題。

3D NAND元件的技術藍圖要求蝕刻深度能隨著每個新世代的進展越來越深，因此需要提升蝕刻輪廓的均勻度。2021年1月Lam Research推出最新一代的介電層蝕刻技術 Vantex，這是專為現今市場上最智慧的蝕刻平台Sense.i所設計。Vantex可控制蝕刻的垂直角度，以滿足3D NAND元件特徵的嚴格放置要求，並在12吋晶圓上實現高良率。

本月，Lam Research更推出Syndion GP產品解決方案，提供深矽晶蝕刻功能，為汽車、電力輸送和能源等產業開發下一代功率元件和電源管理晶片。Syndion GP可配置以8吋和12吋晶圓尺寸來製造元件，支援晶片製造商持續推動特殊製程技術的創新與突破。

以上這些技術解決方案都是為了解決晶片製造商的製造挑戰，以實現先進邏輯和記憶體元件的持續微縮。結合卓越的系統工程、技術的領先優勢、基於價值的堅強文化，以及堅定不移的承諾，我們將助力客戶，使其創新構想成為現實。

SEMICON Taiwan為半導體業界的年度盛事，本年度為白金級贊助商的Lam Research，很榮幸受邀至異質整合國際高峰論壇 (Heterogenous Integration Global Submit)、微機電暨感測器論壇(MEMS & Sensor Forum)、半導體先進製程科技論壇 (IC Forum )以及高科技智慧製造論壇(Smart Manufacturing Forum)進行專題演講，和業界先進共同關注半導體產業發展趨勢以及展望未來科技。

2021年，Lam Research亦參與 Women-in-Tech 論壇，以科技女力為題，和STEM領域的優秀女性意見領袖，討論並分享多元共融的觀點和實務應用，藉此鼓勵更多女性從業人員投入科技產業，歡迎大家共襄盛舉。