諾發系統宣布應用在先進晶圓級封裝市場的系列產品

諾發系統日前發表VECTOR PECVD、INOVA PVD和GxT photoresist strip systems的新機型，這些新機型可以和諾發系統的先進金屬連線技術相輔相成，並且展開晶圓級封裝技術(WLP)的需求及市場。這些機台都整合了一些一般傳統封裝設備沒有的新功能，並且持續維持業界領先的高生產性。

消費性電子要求更小、更強而有力的行動電子元件，並且運算速度要和一般邏輯和記憶晶片一樣快，因此驅動著可以降低電力消耗、增加系統表現等的替代封裝技術之發展。和傳統的封裝技術相比，TSV、WLP堆疊等的3D整合技術可以縮短晶片之間的連線，進而得到顯著的晶片運算表現。TSVs還可以將多個晶片垂直堆疊形成一個三明治結構，同時也能縮短銅線之間的連線。WLP技術像是micro-bumps、pillars、copper redistribution layers (RDL)可以增加 I/O 數目並降低pitch的需求。所有的3D整合技術都需要新的金屬、介電材料和應用。

諾發系統已經開始投資發展一系列新的產品以符合晶圓級封裝技術和成本限制上的需求，新推出的SABRE 3D系統，整合了目前最高科技水準的SABRE ElectrofillR技術，並且設立了一個新的機台表現與成本節省的工業標竿。這個創新的系統包含了全新的專利技術，包括無孔洞的先進表面處理技術(APT)、可降低銅overburden的XMM技術，以即可改善在高產率下填洞均勻度的TurboCell技術。SABRE 3D的模組化結構，可配置多種電鍍及前或後處理槽的各種封裝應用，包括TSV技術、pillar、RDL、bump底下的金屬化、共晶和無鉛微型焊接使用材料，如銅、錫、鎳、錫和銀。

INOVA 3D PVD system採用諾發公司的下一代專利HCMR濺射源，加上該公司的IONFLO™技術，可提供高的高寬比TSVs卓越之銅側壁覆蓋和超低缺陷能力。離子引起的銅流過程可使用比傳統PVD更薄的晶種層，就可達到無孔洞的電鍍填洞，並可降低大於百分之五十的TSV製造消耗成本。INOVA 3D還提供IONX鈦和鉭源IONX加大碼技術，擴展濺鍍靶材的生命週期將可大於 10000千瓦小時，因此可以增加機台的正常運作時間，並進一步降低在此應用上的整體消耗成本。

VECTOR 3D系統採用跟全球已有1000多台的VECTOR PECVD相同專利的多站連續沉積(MSSD)技術，本MSSD架構加上新近開發的PECVD產品流程，讓VECTOR 3D可沉積低成本、低溫薄膜並且相容於玻璃基板。低溫應用包括氮化矽擴散阻障層和氧化矽絕緣層以及護層。該系統的技術可調整薄膜的擋水性、電性，使其性質可以和高溫的介電薄膜性質相當。VECTOR 3D的機台設計也可沉積應用在TSV結構(包含via-middle和via-last)的高品質介電內層。

G3D光阻去除系統的設計是要迅速消除用於製造 RDLs和pillars的厚光阻(20-100微米)，達到在高寬比TSVs的無殘留物之光阻去除和清潔。G3D的競爭優勢來自於一個獨特高ash rate ICP源的高生產效率、低溫製程、並且深度清潔功能的組合。此ICP來源提供超均勻電漿，可有一致性的光阻去除和消除殘餘物的表現。以有彈性的射頻功率和氣體分布的控制，以及低溫處理能力，G3D提供了一次廣泛的製程調整範圍以達到無殘留物的光阻去除，並且在業界具有領先的生產率。

諾發系統半導體系統產品執行副總裁Dr. Fusen Chen表示：「 晶圓級封裝推動對新技術的要求，並且還能利用諾發公司在ECD、PECVD、 PVD、photoresist strip的核心競爭力。我們已經應用本身先進的沉積和光阻去除技術開發出一系列產品，以符合3D整合的新需求。」