通孔填孔技術簡化電路板製程提升散熱效能
智慧型手機與平板電腦,為了能更節省電池的功耗,於搭載的印刷電路板上,已有微型化及薄型化的需求趨勢。並且在中心層的通孔上,從使用Conformal plating,漸漸演變成具散熱效能並可減化製程之通孔填孔電鍍。
但是,因絕緣特性上中心層的厚度,必須要有一定厚度的基板時,通孔的縱橫比變高後,即出現包孔發生率也會隨著增加的問題。為了減低包孔發生率,專精於硫酸銅電鍍處理的台灣傑希優(JCU Taiwan),目前已經擁有超越業界的優異填孔性能的新製程「CU-BRITE TF3」技術。
優異填孔性能「CU-BRITE TF3」技術
台灣傑希優(JCU Taiwan)總經理陸伯壎表示,與已經廣泛被使用的盲孔填孔製程相比,在通孔填孔下無法獲得的bottom up長成的部分,需要透過添加劑的分極化(抑制銅析出)效果。比較起以往製程除了有較高的極化效果,發揮優異的填孔性能之外,在高縱橫比的通孔下,也可抑制包孔的發生機率。
即便對於板厚超過的200μm的中心材,在新開發的CU-BRITE TF3下,除可擁有無包孔的填孔,甚至有優異的填孔性能的製程。並且,與以往藥品相較之下,為了在高硫酸濃度時可發揮良好的填孔性能,提升氧化銅等的基本組成溶解性,並可使用在槽浴容易管理的不溶性陽極上。然而,伴隨著硫酸濃度的上升,在電鍍厚度不均勻的細微配線圖形電鍍下,也能夠提升電鍍厚度均勻性。
陸伯壎指出,通孔填孔技術與填盲孔相同,可提升印刷線路板的導電性,在細微線路化上是個重要的技術。CU-BRITE TF3與以往的製程相較之下,可改善包孔問題、陽極選擇更具彈性(可溶性?不溶性陽極皆可適用)、對電鍍厚度均勻性有很大的提升。並且因為填孔性良好的關係,在一個製程下可構築多層板整層的疊孔構造,是一個泛用性很高的製程。
高耐腐蝕性鍍Ni/Au製程
過去,為了提升鍍鎳?金製程的耐腐蝕性,通常於鍍金製程中使用無硫的鍍鎳來當作底層。但發現鍍膜本身的耐腐蝕性雖然可以提升,可是插拔後的耐磨耗以及耐腐蝕性反而變得低劣。
有鑑於此,台灣傑希優在技術上成功改良了以往藥品,有著耐腐蝕性、耐刮傷性的「New STARK BARRIER」製程,其特徵包括:1.優異的耐腐蝕性光澤鍍鎳皮膜。2.形成優異阻隔層(鍍Sn-Ni/鍍Pd:2層),有效的提升插拔後的耐腐蝕性。陸伯壎補充,New SB製程與一般的Ni/Au製程相比,在透過鍍鎳、鍍鈀的多層化下,鍍金厚度在0.1μm,也可獲得與金0.5μm匹敵之優異的耐腐蝕性。
以往的STARK BARRIER製程因為鍍鎳表面粗糙,造成鍍金表面也隨之粗糙,因此對於插拔性能上造成極大的損傷。「New STARK BARRIER」製程因鍍鎳、鍍金表面平滑的緣故,不會因為插拔而造成損傷,使得耐腐蝕性及耐刮傷性能提升,更能實現鍍金的薄膜化(減金化)。
基板用電鍍鎳?鈀?金-鈷製程
鍍金製程除了導電性及耐腐蝕性之外,耐磨耗性也是信賴性評測項目之一。而為配合耐磨性能,其製程基本金層膜厚都較高,但由於黃金價格昂貴,因此在反應成本需要下,就必須以薄膜化來對應市場需求。以往的經驗發現,金?鈷鍍膜之後常會有細微的孔隙存在,因此如果將其薄膜化後,相對會降低耐腐蝕性能。
陸伯壎指出,鍍金及合金的薄膜化從高性價比來看將是未來的趨勢,不能無視金薄膜化所帶來的問題。為了改善在薄膜化下耐腐蝕性能,台灣傑希優提出以增加鍍鈀層作為保護,來有效抑制金層往鎳層的擴散並提升耐腐蝕性。
經過耐腐蝕性測試以SST(鹽水噴霧試驗)24小時及1小時的硝酸曝氣評測。SST測試24小時後,不論鎳種類為何,以0.1μm厚度之金-鈷合金,整體皆會發生腐蝕現象。但在鍍有保護層鈀層之後,其耐腐蝕性能幾乎與0.3μm金-鈷合金相當。而以硝酸曝氣1小時後,發現無光澤鎳有局部變色,但同樣在鍍上鈀層後其耐腐蝕性能明顯提升。而光澤鎳部分,無論電鍍金-鈷的鍍厚、或有無鈀層,皆無發現腐蝕。
專精表面處理、硫酸銅電鍍處理的台灣傑希優JCU Taiwan,在台耕耘已超過12年,目前主要以提供載板(Substrate)、電路板(PCB)、半導體(Semicon)、汽車工業、塑膠工業、元件端子等表面處理電鍍技術產品及設備。在全球PCB鍍銅填孔技術領域擁有六成以上市占率。
陸伯壎表示,台灣傑希優是日本上市公司株式會社JCU百分之百投資的企業,而日本是個非常重視團隊合作的國家,藉由完善的製程管理制度,並整合產業上中下游供應鏈能量,才能夠不斷精進提升技術能量。
陸伯壎說,觀察台灣半導體及PCB產業,在國際間已扮演舉足輕重角色,JCU集團也積極布局這兩塊市場商機,因此特別成立台灣技術開發中心,持續專注於亞洲市場開拓及技術開發,一方面為精進鍍銅及表面處理技術,以延伸至更多元領域的應用。另一方面,更運用日本產、官、學合作模式,來擴充台灣技術開發中心的能量,以快速協助客戶解決技術上難題疑惑,創造產品最大價值化。
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