三星繼HBM再臨危機 10奈米級DRAM遭美光超車
- 江承諭／綜合報導
美光（Micron）近期成功向客戶供應第六代10奈米級DRAM樣品，三星電子（Samsung Electronics）繼高頻寬記憶體（HBM）量產進度被超前，先進DRAM也苦於良率等問題傳正重新調整設計，有必要加快腳步應對新一代記憶體市場競爭。...
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