離子植入

離子植入(ion implantation)是半導體摻雜的方式之一。將欲加入的雜質先離子化，提昇雜質的能量或動能，接著利用電場加速離子運動速度及磁場改變運動方向，將經離子化的雜質直接打入矽晶片內，使雜質原子擴散進入矽晶片內部。

離子植入是將具有一定能量的離子植入固體表面的方法，藉由將原子引進固體基座的表面層或其中特定的位置，使得材料的表面和本體性能得到改善。目前，離子植入技術已廣泛地應用於物理與材料科學的範疇。

一般而言，離子植入機的構造主要包括下列的系統：離子源(ion source)、分析磁鐵(analyzing magnet)、加速(accelerating system)、聚焦系統(focusing system)、靶室(target chamber)、真空系統(vacuum system)以及控制系統(control system)。

其中，離子源是為產生各種離子的基本設備，其工作原理係將靶材物質遊離，使其形成帶正電或負電的離子，再藉由引出電壓將離子引出，然後經由分析磁鐵選擇所需的離子，使其進入加速腔體。

而進入加速腔體內的離子經加速腔體的電壓加速至所需的能量之後，便沿著射束傳輸線傳送至靶室，並藉由聚焦與掃描系統將離子束植入安裝於靶室的靶材上。(李佳翰)