永光電化事業20周年 深耕碳化矽半導體元件專用研磨液

圖左為永光化學總經理陳偉望、右為永光電化事業副總經理林昭文。

SEMICON Taiwan 2017國際半導體展，是台灣每年半導體產業盛會，匯集世界頂尖半導體科技廠商參與。台灣連續6年蟬聯全球最大半導體設備與材料市場，尤其半導體晶圓廠設備支出的成長動能，至 2017年結束後可望維持13%的成長率。

永光化學旗下的電子化學事業，長期耕耘半導體晶圓光阻劑、顯影液、研磨液，自然不缺席今年SEMICON Taiwan 2017。伴隨半導體產業的持續增長，永光化學旗下產品具備哪些優勢？

永光電化事業20周年  訴求承諾、專業、定制優勢

2017年不僅是永光化學成立的45周年，也是旗下電子化學事業成立20年。永光電化事業副總經理林昭文指出，「永光電化長年累積黃光化學開發經驗，旗下產品包含光阻劑、顯影液、研磨液、特殊油墨一應俱全。在品牌承諾上，訴求「Better Chemistry, Better Life」，希望成為全球電化產業的值得信賴夥伴。」

為了達到最終願景的目標，目前永光化學的品牌架構，鎖定在「承諾、專業、定制」三大優勢。承諾方面，永光已獲得DNV GL頒發 ISO 9001、14001證書，成為台灣第一家獲得BCMS認證的化工企業，後續也獲得ISO 22301等系統認證，建立六標準差品質管理系統。

專業部分，電化產品已經具有20nm化學品量產能力，更是全球六家國際大廠的光電、半導體製程材料合作廠商。針對國際大廠的在地化代工生產，其產能及產線逐年提升，證明永光技術能力已深受大廠信賴。

而在定制部分，要符合客戶的製程條件，做出更好產品，永光已建立技術平台及驗證系統，包含IC/LED/TP/CA PR/Slurry。每年投入研發人力佔整個電化部門高達36%，專利獲證累計48件。目前客製化的產品項目，包含低溫多晶矽LTPS、圖案化藍寶石基板PSS、PMOLED的間隔層Rib光阻、LDI PR等，作為永光化學在客制化服務的核心能力。

因應半導體趨勢  鎖定碳化矽半導體高功率元件

永光化學從第一支電化事業產品G-line光阻開始，持續開發相關產品，並在研發技術精進之下，已完整建立G&I-line光阻版圖。尤其應用在高頻通訊基材的黃光微影製程，高解析度I-line光阻劑與化學增幅型光阻，持續是2017年產品布局重點。因此從2016年至今，永光化學持續加強研發能量，完整布局半導體製程G、I-Line光阻劑產品版圖，並完成供貨給各大晶圓廠。

電化研發處處長籃偉仁則提到，2017年產品布局的另一支線，也就是因應環保意識抬頭及電動車產業的發展，碳化矽(SiC)半導體高功率元件逐漸受到重視。永光也持續優化因應碳化矽、氮化鎵(GaN)專用的基材研磨液，為新半導體時代來臨做好準備。

針對碳化矽基板可搭配的研磨液，目前永光已與國內的SiC晶圓製造商合作，積極針對製程研發的客製化驗證，在研磨/移除速率，以及晶圓表面平整度，其研磨速度、質量皆達到客戶產品需求。

林昭文補充提到，永光化學最早主力把研發技術放在針對IC晶片前段製程，之後產品鏈也開始往後端封裝製程產品移動。永光針對前後端製程皆提供完整產品組合與服務，希望為封裝業者也提供光阻及顯影液的配套整合方案，讓製程呈現相對穩定的效果。目前也針對後端製程，正在積極開發感光型聚醯亞胺薄膜(PSPI)的技術研發。

因應2.5D到3D晶片堆疊技術  永光提供封裝關鍵材料

另外，針對2.5D與3D晶片堆疊技術的演進發展過程，永光針對市場需要提供相關封裝關鍵材料。籃偉仁解釋，2.5D/3D晶片製作方案，須在生產過程導入晶圓矽穿孔(TSV)、晶片堆疊製程與新的立體結構封測方案因應。

因此實際開發2.5D/3D IC，仍包含多道高難度工序，如晶圓薄化處理、TSV製程鑿穿晶圓進行功能晶片堆疊、高階覆晶封裝方案，讓Pillar、Bump可在更狹小的晶圓孔隙中順利接合。

永光在封測使用的黃光化學品，從銅柱製程Cu Pillar到金凸塊Cold bump皆有提供。金線路重佈線製程RDL，所需的高深寬比化學增幅型光阻，及相對應的顯影液，皆有提供完整多樣的解決方案。因此在封裝的光阻劑應用上，近年在技術上已有大幅的突破。

不缺席大陸市場  半導體展將展出系列亮點產品

目前永光集團主要產品銷售地區所佔比例，亞洲高達49%，其次是美洲18%、歐洲15%。尤其大陸又是高科技產業不可忽視的市場，所以針對大陸市場，林昭文提到，永光仍會針對當地的電化材料需求，持續提供新產線布局，而在既有產品，也將持續擴大顧客群及銷售市佔率。針對大陸在半導體、薄膜電晶體TFT產業的供應鏈合作，永光也將透過多方管道，不會缺席在地化材料及產線的布局。

2017 Semicon Taiwan半導體展，永光化學攤位在K區2142。將展出封測材料、高階I-line光阻、SiC研磨液等亮點產品。包括EPI 630高解析I-Line光阻劑，厚膜=0.75um解析可達0.34um；EPD 56,66厚膜光阻專用顯影劑；EPP 110 DNQ Type，厚膜=25um，深寬比5，可用於電鍍銅；ECA 150 CA光阻，厚膜=80um，深寬比10(低曝光能量)，可用於電鍍銅。