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監控氣體排放狀況 發展新製程不可忽略

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志尚儀器總經理楊玉山。
志尚儀器總經理楊玉山。

在消費者對輕薄短小行動裝置需求漸增下,驅動全球半導體產業朝向40nm、20nm 、16nm製程邁進,只是也衍生出NH3、NMP、有機氣體、酸性氣體等問題,且易在晶圓上形成T-Top現象。關鍵在於193nm製程系採用氬氟(ArF)雷射,以及157nm製程上採用氟分子(F2)雷射,而在此波段上光波頻率極易被微量的揮發性碳氫化合物所吸收,因此會造成當雷射光束穿越光徑時強度的減少。

志尚儀器總經理楊玉山指出,由於SO2、NO2等氣體,會因臭氧強大氧化力變成硫酸鹽或是硝酸鹽類,而沉積於步進機的鏡片表面,因而造成透光率下降的問題。唯一解決辦法只有當上述狀況發生時,必須將光學系統進行清潔,只是光學系統相當脆弱,常常會因清理時不小心破損而造成燈管及停機等重大的損失。因此,持續監測機台內部的微量揮發性有機氣體及酸性氣體,成為發展下一代製程不可忽視的重要工作。

因應半導體產業發展需求,志尚儀器可提供線上排放管道暨AMC酸鹼氣體分析系統,當空氣中的污染氣體散佈於鏡片表面時,運用吸收液流經專利技術的奈米TiO2塗佈,將酸鹼氣體吸收,再結合離子層析儀進行連續自動監測。此外,這款產品可提供潔淨室環境微污染控制製程監測、煙囪及製程煙道氣體排放監測、大氣環境酸鹼氣測,相當適合用於研發與學術研究等領域。