FinFET後十年磨一劍 GAAFET設計流程具優勢
- 梁燕蕙／綜合報導
隨著台積電與三星電子(Samsung Electronics)等一線大廠積極推進3奈米以下先進製程，環繞式閘極場效電晶體(GAAFET)架構將逐漸取代鰭式場效電晶體(FinFET)，替半導體產業帶來另一波改變，伴隨而生的諸多挑戰也將影響IC設計業者。
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議題精選－先進製程三雄邁步3奈米GAAFET架構
