半導體技術創新扮演AI時代關鍵力量

9月6日舉辦的「半導體先進製程科技論壇」，與會貴賓合影。SEMI

SEMICON Taiwan 2024國際半導體展已於9月6日圓滿落幕，於展期間舉行的「半導體先進製程科技論壇」上，分別從不同角度闡述AI帶來的全新機會與挑戰，分享透過尖端技術研發因應相關需求的最新成果，以及利用AI技術提升生產效率與品質的經驗。

AI應用與日益複雜的機器學習（ML）模型推動了對更專業、更有效率的運算架構之需求，異質整合技術和Chiplet技術扮演關鍵角色，而台積電也在3DFabric的架構下，結合前端的SoIC與後端的CoWoS與InFO系列封裝技術，根據客戶不同需求提供3D晶片堆疊解決方案。此外著眼於AI資料中心高速通訊應用需求，台積電正SoIC-X製程堆疊電子晶片（EIC）與光子積體電路（PIC）以提高連結密度、降低功耗，並將進一步整合3D架構光學引擎COUPE與CoWoS封裝。

NVIDIA資深架構師Po Chun Lai表示，NVIDIA運用AI技術提升半導體製程效率的方法，加速微影的cuLitho和採用高性能運算（HPC）與AI進行模擬的Modulus技術，即運用物理訊息神經網路（PINNs）模型結合微分方程式與邊界條件，可運用於資料中心與無塵室設計等多種應用場景。而NVIDIA的Omniverse虛擬平台，結合OpenUSD開放性通用場景描述語言構建數位孿生平台，將為半導體製造帶來變革。

ASML High NA EUV產品管理副總裁Greet Storms指出，EUV數值孔徑（NA）正由目前的0.33NA增加至0.55NA，以進一步將晶片特徵尺寸特徵縮小1.7倍並改善局部CDU，這將為半導體製造商提供多種好處。

高數值孔徑EUV單次曝光因為具有更高解析度和對比度，可以實現更大的電路設計自由度。這種設計自由度的例子包括多節距／多CD線（例如金屬互連或閘極）、多節距／多CD觸點以及1.5或2D金屬互連，都可改善單元密度和更好的性能。

半導體製程技術作為AI時代的重要基石，推動各行各業的數位轉型，並促成許多創新應用的實現。AI技術的導入使得半導體產業能夠更有效地應對市場對高性能、低能耗晶片的需求。隨著創新技術的不斷湧現，半導體領域有望迎來更加蓬勃的發展，成為推動全球技術進步和經濟增長的關鍵力量。