別鬧了! 8奈米

好笑的是這條中央社發的消息持續被其他媒體引用，引發後續討論。我以為台灣是半導體之域，媒體至少有起碼的半導體ABC知識。

別鬧了，8nm！

這個訊息內容內容有不一致的地方，氟化氬（ArF）雷射的波長是193nm，氟化氪（KrF）雷射的波長才是248nm。從另外2個數據來看，248nm幾個字比較有可能是誤植。

用氟化氬雷射當光源，乾式（dry）曝光機一般的分辨率（resolution）在80~90nm左右，浸潤式（immersion）曝光機一般的分辨率在38~40nm左右。公布的數值在兩者之間，我猜是乾式的曝光機再加上已知的可以改善光學系統的諸種手段。這裡講的分辨率，一般是指單次曝光（single exposure）所能達到的最小尺度。

資料中的另一組「套刻精度小於8nm」則是引起此次無妄之議的罪魁禍首。

兩岸譯名有所不同，曝光機在中國叫光刻機，而套刻精度在英文中是overlay accuracy ，指的是上下2層光罩層對準（align）可能產生的最大誤差，這與能用此曝光機能做出何種技術節點的能力完全不是一回事，但是套刻精度只有8nm的曝光機，肯定做不到8nm的製程也是鐵錚錚的事實。

上述的訊息對我來說，只是中國的曝光機能力已進入以準分子雷射（excimer laser）為光源的第一代曝光機，如果其表現真如其規格所述，這算是改良過的第一代DUV曝光機。

再進一步發展是浸潤式氟化氬曝光機（ArF immersion lithography）。雖然水的折射率1.333理論上可以提升機器設備的許多規格，但是由於運作機制存有主要變化，發展所需時間可能較長。

更進一步是極紫外光曝光機（EUV lithography），這個有些難。畢竟現在ASML的極紫外光曝光機是DARPA於90年代就開始研發的。即使以現在的技術和後發者的知識可以縮短開發時程，但是EUV的光源產生和光學系統與DUV完全不同，多費些手腳也是理所當然。

所以中微半導體董事長尹志堯說，中國的機器設備與客戶群處在技術領先位置的國外廠商相比，還差了兩、三代是確評。

至於晶圓製造廠的製程能力呢？分辨率只是曝光機台本身的能力，製程中還有其他眾多手段可以改進在晶圓上最終圖案化（patterning）的能力，其中最為人知的手段是多重曝光（multiple exposure）如曝光蝕刻曝光蝕刻（Litho-Etch Litho-Etch；LELE）、間隔物輔助雙圖案化（Spacer-Assisted Double Patterning；SADP）、光刻冷凍曝光蝕刻（Litho-Freeze Litho-Etch；LFLE）等方法；也有行之有年光學鄰近校正（Optical Proximity Correction；OPC）等方法。例如氟化氬浸潤式曝光機的單次曝光分辨率在38~40nm左右，經過上述方法的處理晶圓上的最小尺寸可以精確到10~12nm。

中國早已進口氟化氬浸潤式曝光機，台積電可以用以製造7nm製程，中國當然也可以，良率高低和時間早晚而已。至於更先進的製程節點也並非全無可能，也是良率、成本和產能的問題。

所以中國半導體製程的能力問題，根植於其先進製程設備的自製率，其弱勢是在曝光機、離子植入機（ion implanter）和電子束檢測系統（e-beam testing system），其中曝光機的自製能力自然最受矚目。

如何跨越外在設下的限制？除了沿外界已經發生過的EUV研發路徑之外，奈米壓印（nanoimprint）可能是一個途徑。奈米壓印已經應用於3D NAND的量產，機台的分辨率在5nm左右，只是它的晶圓產量（wafer throughput）不高。但是它的機台單價較低，目前解決方式就是以機台數量來彌補產能。

在DRAM與邏輯的應用上，奈米壓印在良率還有所不足，得改善如顆粒等問題。奈米壓印機中國已有了，問題也是要花多長時間才追得上世界技術前沿？