喊出5年內技術超越台積電 三星先進製程藍圖、動態曝光
- 蔡云瑄／綜合報導
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3奈米以下晶圓代工市場競爭越趨激烈，三星電子（Samsung Electronics）不僅喊出5年內以技術超越台積電，近日更於三星代工論壇中公布2奈米量產等規畫，加上多家韓媒亦曝光三星3奈米製程動態，未來三星能否將目標化為現實，引起各界關注。
三星近日於美國矽谷舉行2023年三星晶圓代工論壇，並宣布2025年三星將為行動設備量產2奈米製程（SF2）；接著2026年增加高效運算（HPC）；2027年則將進一步擴大至車用半導體領域，並將開始量產1.4奈米製程。據三星官方說法，相比三星第二代3奈米製程3GAP（SF3），SF2製程效能提高12%、功耗效率提高25%、面積減少5%。
而韓媒東亞日報消息指出，三星正在以穩定良率量產第一代3奈米GAA（SF3E）；第二代3奈米3GAP則順利開發中，預定2024年進入量產。據悉，三星正在與行動、HPC等客戶進行討論，已有部分客戶將以SF3為基礎製作測試晶片等。
另據韓媒Dailian消息，三星持續投資矽智財（IP）、新增IP合作夥伴，如日前攜手新思科技（Synopsys）、益華電腦（Cadence）、Alphawave Semi等企業，共同擴大IP投資組合。三星亦規劃，到2024年上半為止，確保LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6、112G SerDes等SF2製程用的高速介面IP。
事實上，三星自2017年成立晶圓代工事業部，2019年搶先業界引入極紫外光（EUV）設備生產7奈米系統半導體；而自3奈米製程開始，三星欲以環繞式閘極（GAA）縮小與台積電之技術差距；到2奈米製程，三星則企圖趕上、甚至是超車台積電。
從事業規模、市佔率方面來說，現階段三星晶圓代工事業部確實落後台積電，但三星欲從技術方面突破現況。三星半導體暨裝置解決方案（Device Solutions；DS）部門負責人慶桂顯先前自信表示，三星將在5年內以技術趕超業界第一名。
三星晶圓代工技術提升，亦有助於提升事業競爭力。根據市調機構Omdia預測，2023~2026年，全球晶圓代工市場的年均成長率將達12.9%；且晶圓代工市場成長動能將由5奈米以下的先進製程主導，2023年5奈米以下的晶圓代工銷售額佔比預估為24.8%，2026年有望進一步成長至41.2%；不僅如此，3奈米晶圓代工銷售額佔比則有望從2023年的8%，成長至2026年的24.4%，年均成長率達65.3%。
另一方面，三星為確保投資效率、彈性，持續在在南韓平澤、美國泰勒晶圓代工廠區推動「先蓋廠房、延後裝機」（Shell-First Strategy）策略，預計2027年三星無塵室規模將比2021年大7.3倍。據三星最新計畫，南韓平澤P3產線將於2023年下半量產；美國泰勒第一條產線則將於2023年下半竣工、2024年下半投入使用。
不僅如此，三星還宣布攜手三星先進晶圓代工生態系（Samsung Advanced Foundry Ecosystem；SAFE）夥伴，成立先進封裝協議（Multi Die Integration Alliance；MDI），共同持續提升堆疊技術。較為特別的是，三星將針對HPC、車用電子等需求，開發差異化封裝解決方案。
此外，為滿足各種客戶需求，三星也欲加強專業製程競爭力，如三星規劃自2025年起生產8吋氮化鎵（GaN）功率半導體，另外也看準6G通訊前景開發5奈米射頻（RF）製程，預計2025年上半量產。
責任編輯：陳至嫻
