STＭ寬能隙半導體 SiC、GaN雙管齊下
- 劉憲杰／台北
意法半導體（STM）近年持續提升寬能隙半導體自主生產能力，除了擴大既有碳化矽（SiC）晶圓產能，針對現在產能瓶頸最嚴重的SiC基板，意法半導體也立下了2024年要達到基板自主生產達40%的目標，而在氮化鎵（GaN）方面，發展腳步相對雖慢一些，但已有實際產品...
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