2030年3D NAND需堆疊千層 三星備戰下一個十年
- 江承諭／綜合報導
3D NAND從24層堆疊開始，在十年內已進化至200層以上。隨著NAND Flash技術持續發展，三星電子（Samsung Electronics）認為2030年需堆疊至1,000層以上，必須確保新的技術，以因應「下一個十年」的市場競爭。
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