三星記憶體反攻 傳目標2026量產400層以上NAND
- 江承諭／綜合報導
三星電子（Samsung Electronics）傳將於2026年推出儲存容量大、高散熱性，堆疊層數達400層以上的BV（Bonding Vertical）NAND Flash，強化根本技術競爭力，以在當前落後的企業用固態硬碟（eSSD）市場取得轉機。
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