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碳化矽特性與供應鏈發展觀察

隨普及應用的矽半導體已達物理極限,採寬能隙半導體材料替代的範疇逐漸擴增,第三代半導體市場前景愈來愈受矚目。雖碳化矽(SiC)價格較矽半導體高出許多,車廠仍有很高採用意願,主因碳化矽能量損耗低、具耐高壓、耐高溫、高頻化等特性,不僅適合於汽車嚴苛環境下使用,亦可降低系統成本、提升功率密度等。碳化矽在主驅逆變器及車載充電器(OBC)導入速度較快,且至2023年與矽基元件將會達到2.5倍甜蜜點的價差。台灣業者不僅投入碳化矽長晶及自製設備,在供應鏈方面,也如國際大廠朝向虛擬IDM整合模式發展。中科院已將碳化矽長晶機及長晶技術轉予太極能源集團,中鋼碳素亦開發長晶用石墨坩堝。中美矽晶集團旗下虛擬IDM包括環球晶、宏捷科、朋程,其中,環球晶看好未來需求,2022年晶圓產能將呈倍數增長。

台灣碳化矽設備朝國產化發展 第三類半導體供應鏈漸走向虛擬IDM模式

SiC元件於2023年將達甜蜜點價位 具系統成本效益、功率密度高等優勢為於車載領域普及關鍵

碳化矽於電動車應用成長潛力大 導電型碳化矽供應鏈以國際大廠為要角

研究項目

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