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日本半導體復興大業的三支箭

在日本半導體三支箭中,Rapidus的成功營運將是難度最高的目標。

如同十多年前的日本安倍經濟學的三支箭,以拯救日本長期的通縮、振興經濟,提升日本的競爭力。在1980~90年代,曾是世界第一的日本半導體產業,經歷失落的30年,最近不約而同地射出了三支箭,希望能一舉扭轉目前的頹勢。東京大學的黑田忠廣教授,甚至稱之為「熱水中被煮著的青蛙,突然間跳了起來。」

是哪三支箭要來振興日本的半導體產業?

第一支箭就是日積電(JASM),台積電的熊本廠;第二支箭是日本政府主導,結合幾家日本重要企業,在北海道設立的Rapidus,直接切入2奈米的製程;第三支箭就是台積電在日本筑波,設立的3DIC先進封裝的實驗室,與東京大學及日本材料及設備廠商合作。

這三支箭都需要仰賴外國的技術及資源,日本輿論將此比擬為,在19世紀幕府時代的「黑船事件」。黑船事件開啟日本與西方世界的交流,明治維新接著發生,一舉讓日本進入世界強國之林。

這三支箭分別都有其目的,而合起來就成為日本半導體的復興大業。

首先,日本長期以來未持續投資在半導體先進製程,因此製程技術停留在40奈米。日積電的任務就是要填補28~16奈米的空缺,並且配合到日本產業所需的車用IC及影像顯示IC。

第二支箭就有很大的爭議了。在沒有任何先進製程的學習曲線支撐下,直接切入2奈米,現階段三星電子(Samsung Electronics)及英特爾(Intel)都做不到,這豈不是癡人說夢?雖然有美國IBM及歐洲Imec的技術轉移,包括EUV技術,但是研究機構的技術,相對於要實現高集成度的IC,仍有一段相當的距離。

日本是如何盤算第二支箭?原來由16到3奈米,使用的是魚鰭式電晶體(FinFET),到了2奈米電晶體就須改為GAA(gate all around)或稱為nano-sheet。與其由16奈米切入,需要建立FinFET的學習曲線,在後頭苦苦追趕,倒不如孤注一擲,直接進入下一個世代的電晶體。雖然離台積電仍有段距離,但是不會輸三星及英特爾太遠。這隻箭是大膽的,但不失為好的策略。

第三支箭就含有長期的戰略意義了。3DIC不只是先進製程需要,成熟製程所製作的IC也是需要的。如果說摩爾定律是半導體元件尺度的微縮,那3DIC就是電子系統尺度的微縮了。這平台提供將各式小晶片(chiplet)密集的堆疊,造就系統特性上的提升。日本優異的半導體材料及設備供應產業,更是強化3DIC技術的重要基石。

當日本在80年代末期,自詡在許多產業上創下全球第一,尤其是石原慎太郎及Sony創辦人盛田昭夫合著的《可以說NO的日本》,徹底地激怒美國,開始對日本輸美的半導體設限,並扶植南韓。那個時期個人正在美國當研究生,有回遇到來自日本的半導體教授。當他知道我來自於台灣時,趾高氣昂地問我,「你知不知道日本統治台灣多少年?」。

相似的場景在2000年後,我參與一個半導體國際會議的籌辦,當與會的委員都希望日本能多貢獻投稿的論文。日本的代表面有難色地說「我們已經不是世界第一了,甚至連亞洲第一都說不上」。

日本並沒有像美國,大剌剌地要台積電將最先進的製程搬到美國,而是反求諸己,邀請台積電的成熟製程來日本設廠,而先進的製程想辦法自己解決。充分地表現出東方文明克己復禮的美德,另一方面也維持住日本民族的自尊心。

我個人對於日本文化中的職人精神,是打從心底的佩服。有回在日本參加光電半導體研討會,當時在報告單波長的半導體雷射研究,用於長距離的光纖通訊。要實現單波長,需要在雷射底部製作一精密的長條形光柵結構,以選擇所需要的雷射波長,當時這是個相當挑戰的工作。日本的研究人員不是只做1條,而是連續做3條,在一個元件上產生3個不同波長的單波長半導體雷射。我在台下看得目瞪口呆,久久無法平復。

1960年代末期日本經由美國的授權,已逐漸在半導體產業站穩腳步,當時的美國Richard Nixon曾警告過,「日本是個有文化的民族,絕對不會滿足於只銷售電晶體」。

這三支箭涵蓋成熟製程、先進製程及先進封裝,若能支支中的則復興大業可期。我相信第一支及第三支是會命中目標,第二支箭的難度較高。但是在日本既有文化底蘊的加持下,第二支箭命中的機率還是有的。

曾任中央大學電機系教授及系主任,後擔任工研院電子光電所副所長及所長,2013年起投身產業界,曾擔任漢民科技策略長、漢磊科技總經理及漢磊投資控股公司執行長。