美光獲補貼不輸英特爾、台積電 看好AI PC加速QLC NAND SSD滲透
- 韓青秀／台北
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美國晶片法案補助陸續開獎，記憶體大廠美光（Micron）確定獲得61.4億美元直接補貼，以及75億美元借貸額度，補助金額符合原先外界預期，加計美光於日本取得先進DRAM製程補助，美光在美、日兩地將囊括超過77億美元的補助入袋。
隨著記憶體產業進入復甦反彈的成長周期，市場供需呈現吃緊下，美光不僅靠著龐大銀彈補助支撐底氣，亦助力美、日重拾先進半導體製造實力的戰略目標，但資源重新分配下，恐將對台灣供應地位帶來挑戰。
作為美國本土唯一記憶體製造商，美光被外界視為美國晶片法案補助的最大贏家之一，雖然61億美元補貼金額不如英特爾的85億美元龐大，但以美光規劃在2030年前將投入500億美元的總資本支出，取得美國晶片法61億美元補貼，其回報率絲毫不遜於台積電、英特爾（Intel）。
此外，美光在日本廣島廠新建先進DRAM生產線，繼2022年確定獲得約465億日圓補助後，近期美光積極引進極紫外光（EUV）設備，日方傳出可望再祭出上看1,920億日圓（12.9億美元）補貼，初估美光將取得日方16億美元入袋。
然而地緣政治牽動全球半導體版圖消長，業界認為，隨著美、日兩大國競相投入巨資補助，作為美光全球DRAM產出比重達65%的台灣製造基地，長期供應地位恐將遭到稀釋，如何應對全球政局帶來資源轉換的變革，將為台系供應鏈帶來重大挑戰。
另一方面，看好AI熱潮帶動巨量資料儲存的需求，美光估計，目前QLC NAND SSD導入PC滲透率約20~25%，2024年將可望加速成長推動，AI PC的2大使用關鍵將帶動SSD搭載容量快速提升，朝向TB等級需求邁進。
美光副總裁暨客戶端儲存事業部總經理Prasad Alluri表示，美光過去已連續二代推出最高NAND層數的用戶端 QLC SSD，目前也是全球推出首款整合200層以上QLC NAND的用戶端SSD，從滲透率表現來看，目前PC OEM採用QLC的比重約20~25%。
但這並不是QLC NAND性能不佳，而是過去沒有太多供應商的選擇，隨著目前更多競爭對手也推出相關產品，預期2024年將可望看到滲透率顯著提升，PC OEM客戶將會提升滲透率導入，進入加速成長。
目前美光的2500 NVMe SSD 已向PC OEM製造商進行送樣，採用232層QLC NAND，不僅整合至部份美光旗下品牌Crucial的消費型SSD產品中，Crucial也已正式量產並向企業儲存裝置客戶出貨 QLC SSD。
隨高速運算、邊緣AI應用的快速發展，記憶體儲存領域需求亦與日俱增，Alluri指出，高頻寬 低耗能是業界關注的焦點，也是儲存裝置發展的關鍵，PC終端不僅運作大型語言模型，也會有小型模型需要儲存在裝置內，因此儲存需求必須要高度的能源效率，AI PC對於儲存需求正是美光聚焦發展的重點。
根據微軟對AI PC的規格看法，儲存裝置的最低容量是256GB，這是為了AI應用所需，這意味著容量起點已經提高了，而目前PC平均儲存容量約在500GB出頭，Alluri認為，兩大因素將促進AI PC容量提升。
首先是LLM和影像語言模型，將耗費大量儲存容量，其次，由於使用者不會立即刪除大量影像，將導致本機儲存的容量也會顯著，因此AI PC的儲存容量將可望從500GB起跳，進入1TB等級。
隨著各家NAND大廠的3D NAND堆疊層數均超過200層，為了持續提高密度及降低成本，QLC NAND發展成為趨勢。
業界指出，從三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士旗下Solidigm、鎧俠（Kioxia）、長江存儲等各家NAND大廠均已積極投入QLC NAND，推動QLC應用從消費級市場，進一步推廣至企業儲存SSD市場，未來可望推廣於手機客戶和更多應用領域。
比起多數原廠，美光投入QLC NAND開發較早，目前232層QLC NAND將針對行動、用戶端、邊緣和資料中心儲存裝置等4大領域，強調具有領先的位元密度，較競爭對手的最新產品高出28%，領先業界的2400 MT/s NAND介面數據傳輸速度，相較前一代產品提高50%，且讀取效能也較前一代產品提升24%。
Pure Storage超大規模事業部總經理Bill Cerreta表示，計畫在2028年之前更換資料中心的所有傳統硬碟HDD，而美光232層QLC NAND將是關鍵推動的因素。
業界指出，AI伺服器對於電力消耗龐大，SSD節能優勢將成為儲存裝置的優先考量，加上HDD具有高延時問題，將導致性能降低20%，等於浪費CPU和DRAM性能，相當於對整體成本影響，市場預期，2024年QLC NAND應用於SSD位元出貨將呈現大幅倍增成長。
責任編輯：陳奭璁
