Cambridge GaN Devices為電機控制帶來 GaN優勢

Cambridge GaN Devices為電機控制帶來 GaN優勢。Cambridge GaN Devices

Cambridge GaN Devices（CGD）是一家無晶圓廠潔淨技術半導體公司，致力於開發多種節能的氮化鎵（GaN）器件，以實現更環保的電子元件。CGD正在與全球領先的連接和電源解決方案供應商Qorvo合作開發GaN在電機控制應用中的參攷設計和評估套件（EVK）。

CGD旨在加快GaN功率IC在無刷直流電機（BLDC）和永磁同步電機（PMSM）應用中的使用，打造更高功率、高效、緊湊和可靠的系統。 Qorvo在為其PAC5556A高性能BLDC／PMSM電機控制器和驅動器設計的EVK中採用了CGD的ICeGaN（IC 增强型GaN）科技。

CGD執行長GiorGIA LONGOBARDI表示：「與其他同行提供的GaN效能不同，我們提供的ICeGaN HEMT提供了介面電路，沒有集成控制器； 囙此通過與高度集成的電機控制器和驅動IC進行簡單的結合，IceGaN就可以由例如Qorvo的 PAC5556A 600 V高性能BLDC／PMSM電機控制器和驅動器的驅動器輕鬆驅動。 我們很高興與Qorvo合作，使其電機控制器和驅動器應用盡享GaN帶來的益處。」

Qorvo功率管理事業部總經理JEff Strang表示：「GaN和碳化矽（SiC）等寬禁帶電晶體因憑藉其更高的功率密度和效率優勢而被積極用於各種電機控制應用中。 CGD的ICeGaN產品提供了易用性和可靠性，這些是電機控制和驅動設計師關心的兩個關鍵因素。 我們很高興看到設計工程師將CGD的ICeGaN與我們高度集成的PAC5556A 600V無刷直流電機控制解決方案相結合時的反應。」

GaN帶來的多種益處包括：更低的損耗，從而帶來更高的效率，進而新增了功率可用性和產生更少的熱量。 這减少了對複雜、龐大和昂貴的熱管理解決方案的需求，從而產生更小、更强大、壽命更長的系統。 GaN還可以在低速時提供更高的扭矩，囙此可以實現更精確的控制。 此外，GaN可實現高速開關，這可以减少可聽雜訊，這對於吊扇、熱泵和冰柜等家電尤其重要。

除了易用性之外，與其他GaN器件相比，ICeGaN還提供了以下幾個顯著的優點。 ICeGaN的閘極驅動電壓與IGBT相容。 由於ICeGaN在GaN IC內集成了米勒箝比特，所以不需要負關斷電壓，並且可以使用低成本的電流驅動器。 最後，ICeGaN內嵌電流感測功能，簡化了電路設計並减少了物料清單（BOM）。

關於Cambridge GaN Devices

英商劍橋氮化鎵器件有限公司（Cambridge GaN Devices；CGD）專注於GaN電晶體和IC設計、開發及商業化，致力於推動能源效率和提高功率密度層面的根本變革。提供各種簡便節能的GaN解決方案，以便將創新成果帶入日常生活。CGD的ICeGaN技術已被證實適合大規模生產，公司正在快速擴展，製造商和代理商的合作夥伴關係也陸續到位。

CGD是從劍橋大學分立出來的無晶圓廠半導體公司， 創辦人兼執行長Giorgia Longobardi博士及技術長Florin Udrea教授等公司創辦人仍與劍橋大學享有盛譽的高電壓微電子及感測器小組（HVMS）維持密切合作。在CGD專注推動創新的努力下，ICeGaN HEMT技術取得一系列強大且持續擴展的IP組合，享有堅實可靠的智慧財產保障。CGD團隊所擁有的技術和商業專業知識，加上在電力電子市場受到的肯定與良好記錄，是公司專有技術在市場上獲得認可的基礎。