盛美半導體設備電漿增強原子層沈積爐管設備通過初步驗證

盛美半導體設備（NASDAQ:ACMR），作爲一家爲半導體前道和先進晶圓級封裝應用提供晶圓製程解決方案的卓越供應商，宣布其2024年推出的Ultra Fn A電漿增強型原子層沈積爐管設備（PEALD）已初步通過中國大陸一家半導體客戶的製程驗證，正在進行最後優化和爲邁入量産做准備。盛美半導體設備還宣布，其于2022年推出的Ultra Fn A熱原子層沈積爐設備（Thermal ALD）也已成功通過另一家領先的中國客戶的製程驗證，性能參數可以跟國際大廠競爭，甚至更勝一籌。

盛美半導體設備董事長王暉博士表示：「現代集成電路（IC）的製造過程，越來越依賴具有卓越階梯覆蓋率以及高質量的精准薄膜沈積技術。應對諸如氮化碳矽、氮化矽薄膜和高低介電常數薄膜等沈積材料所帶來的複雜挑戰，需要真正的創新，而ACM的研發團隊憑借其先進的原子層沈積（ALD）平台和製程已逐步接近和完成這一目標。我們相信，盛美半導體設備的專有差異化設計方案能夠解決先進3D結構製造中面臨的難題。」

盛美半導體設備的Ultra Fn A ALD立式爐設備産品包括熱原子層沈積（Thermal ALD）和電漿體增強原子層沈積（PEALD）兩種配置，可執行硬掩模層、阻擋層、間隔層、側壁保護層、介質填充等多種薄膜沈積任務，滿足目標製程應用的各種需求。這兩種配置均采用六單元系統，可批量處理多達100片300mm晶圓。該設備還包括四個裝載端口系統（裝載區可控制氧氣濃度）、一個集成供氣系統（IGS）和一個原位乾法清洗系統，所有設計均符合SEMI標准。

Ultra Fn A 電漿增強原子層沈積爐管設備

盛美半導體設備的Ultra Fn A PEALD設備當前應用沈積氮化矽（SiN）薄膜。該機具采用雙層管設計以及氣流平衡技術，能夠顯著提升晶圓內（WIW）和晶圓間（WTW）的均勻性。通過採用電漿增強技術，該設備還可有效降低器件的熱預算。此外，通過微調前驅體在前置單元中的存儲和釋放量，能夠達成控制器件的關鍵尺寸和圖案輪廓。

Ultra Fn A熱模式原子層沈積爐管設備

盛美半導體設備的Ultra Fn A碳氮化矽（SiCN）熱模式原子層沈積爐管設備已通過國內領先的集成電路製造客戶的驗證。該設備能夠實現超薄、無空隙的薄膜沈積，並且能夠精確控制薄膜厚度，達到原子級別的沈積精度。同時，該設備還能夠實現精確的碳摻雜，從而提升薄膜的硬度和耐腐蝕性。此外，該設備還具有內置的乾法清潔功能，能夠確保顆粒的穩定性。

盛美半導體設備

盛美半導體設備從事對先進IC製造與先進晶圓級封裝製造行業至關重要的單晶圓及槽式濕法清洗設備、電鍍設備、無應力拋光設備、立式爐管設備、前道塗膠顯影設備、PECVD設備和面板級先進封裝設備的開發、製造和銷售，並致力於為半導體製造商提供定制化、高性能、低消耗的製程解決方案，來提升他們多個步驟的生產效率和產品良率。